[发明专利]半导体设备

说明书

本发明公开一种半导体设备，包括反应腔室(100)、分子泵(200)和调节阀(400)，所述分子泵(200)设置于所述反应腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通过所述调节阀(400)与所述反应腔室(100)的内腔(110)连通，所述半导体设备还包括阻挡部(300)，所述阻挡部(300)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间，所述阻挡部(300)用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至所述内腔(110)。本方案解决现有半导体设备所生产的芯片的生产良率较低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种半导体设备。

背景技术

在半导体设备中，通常将射频电源提供的射频能量传输到反应腔室中，以此电离高真空状态下的特殊气体(如氩气Ar、氦气He、氮气N2或氢气H2等)，从而产生含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子的等离子体，这些活性粒子与置于反应腔室并暴露在等离子体环境下的晶圆之间发生各种物理和化学反应，从而使晶圆表面的性能产生变化，进而完成晶圆的刻蚀工艺。

随着半导体制造设备的发展，半导体制造工艺过程中对颗粒尺寸和颗粒数量的要求不断提高，例如，对真空反应腔室内涂层和石英陶瓷件表面的喷涂的要求越来越高，不但要求涂层有更高的耐腐蚀性，也要求涂层与反应腔室的内表面有更高的结合强度。

但是，具体的工作过程中，在反应腔室内的等离子体的轰击下，涂层表面可能会产生大量的聚合物颗粒，当反应腔室中的调节阀动作或者反应腔室的压力产生变化，涂层表面的聚合物颗粒将容易脱落，从而反弹至反应腔室中。如果聚合物颗粒在晶圆的刻蚀前或刻蚀中掉落，将会在晶圆表面形成掩膜，从而影响原有光刻图形转移，进而产生局部刻蚀缺陷，最终降低芯片生产良率。

发明内容

本发明公开一种半导体设备，以解决现有半导体设备所生产的芯片的生产良率较低的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种半导体设备，包括反应腔室、分子泵和调节阀，所述分子泵设置于所述反应腔室的底部，且所述分子泵通过所述调节阀与所述反应腔室的内腔连通，所述半导体设备还包括阻挡部，所述阻挡部设置于所述调节阀与所述分子泵的吸风口之间，所述阻挡部用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至所述内腔。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明实施例公开的半导体设备中，通过在调节阀与分子泵的吸风口之间设置阻挡部来阻挡反弹回流的颗粒，以防止反弹回流的颗粒进入到内腔中，从而增加了内腔的洁净度，进而能够提升芯片的生产良率。与此同时，相比于现有的阻挡方式，此种方式占用反应腔室较小的内部空间，以使反应腔室的维护空间加大，从而便于维护反应腔室内的各个部件，进而能够减少维护时间，提高工作效率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的半导体设备的剖视图；

图2为本发明实施例公开的半导体设备中的阻挡部的结构示意图；

图3为图2所示结构示意图的A-A截面的部分示意图；

图4为本发明另一实施例公开的半导体设备中的阻挡部的结构示意图；

图5为本发明另一实施例公开的半导体设备中的阻挡部在另一视角下的局部剖视图；

图6为本发明再一实施例公开的半导体设备中的阻挡部的局部剖视图；

图7为本发明实施例公开的半导体设备中的阻挡部的部分结构示意图；