[发明专利]半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备，包括反应腔室(100)、分子泵(200)和调节阀(400)，所述分子泵(200)设置于所述反应腔室(100)的底部，且所述分子泵(200)通过所述调节阀(400)与所述反应腔室(100)的内腔(110)连通，其特征在于，所述半导体设备还包括阻挡部(300)，所述阻挡部(300)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间，所述阻挡部(300)用于实现反应生成物排出且阻挡颗粒上浮至所述内腔(110)。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡部(300)包括环形支架(310)和多个阻挡叶片(320)，多个所述阻挡叶片(320)间隔设置于所述环形支架(310)的内周壁，且所述阻挡叶片(320)通过所述环形支架(310)设置于所述调节阀(400)与所述分子泵(200)的吸风口之间。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡叶片(320)的宽度方向与所述吸风口所在的表面成角度，且所述角度可根据所述调节阀(400)的开度进行调节。

4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡叶片(320)的宽度方向与所述吸风口所在的表面相垂直，在与所述颗粒的反弹方向(700)相垂直的平面上，相邻两个所述阻挡叶片(320)之间的间隙的第一端口的投影为第一投影，所述第一端口为所述间隙朝向所述吸风口的端口，其中一个所述阻挡叶片(320)的投影为第二投影，所述第一投影处于所述第二投影之内。

5.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡叶片(320)的宽度方向与所述吸风口所在的表面之间的夹角小于90°，在与所述颗粒的反弹方向(700)相垂直的平面上，相邻两个所述阻挡叶片(320)之间的间隙的第一端口的投影为第一投影，所述第一端口为所述间隙朝向所述吸风口的端口，其中一个所述阻挡叶片(320)的投影为第二投影，所述第一投影处于所述第二投影之内。

6.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡叶片(320)在所述宽度方向上的两个侧边缘均为倒圆角边缘(321)。

7.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡部(300)还包括加强筋(330)，所述加强筋(330)与各个所述阻挡叶片(320)相连。

8.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡部(300)还包括螺钉(340)，所述环形支架(310)开设有沉台孔(311)，所述调节阀(400)和所述分子泵(200)中的一者开设有螺纹孔，所述螺钉(340)的螺帽处于所述沉台孔(311)，所述螺钉(340)的螺纹段穿过所述沉台孔(311)、且与所述螺纹孔螺纹配合。

9.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡叶片(320)的表面设置有涂层或为喷砂处理层。

10.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述阻挡叶片(320)的表面开设有间隔分布的多个凹槽(322)。