[发明专利]功率半导体模块衬底及其所应用的电动机车

权利要求书

1.一种功率半导体模块衬底，其特征在于，包括：

衬底主体，所述衬底主体包括矩形的衬底，以及设置于所述衬底上的功率金属敷层，所述功率金属敷层包括分别设置于所述衬底两相对长边区域的第一功率金属敷层和第二功率金属敷层，以及分别设置于所述衬底两相对短边区域的第三功率金属敷层和第四功率金属敷层，所述第三功率金属敷层位于所述第一功率金属敷层和所述第二功率金属敷层之间，所述第三功率金属敷层上设置有负极端子连接处，所述第四功率金属敷层上设置有交流端子连接处，所述第一功率金属敷层和所述第二功率金属敷层上设置有正极端子连接处，所述第一功率金属敷层上设有第一焊接区，所述第二功率金属敷层上设有第二焊接区，所述第三功率金属敷层上设置有第三焊接区和第四焊接区；

吸收电容组，所述吸收电容包括第一吸收电容和第二吸收电容，所述第一吸收电容包括第一导电引脚和第二导电引脚，所述第二吸收电容包括第三导电引脚和第四导电引脚，所述第一导电引脚与所述第一功率金属敷层的第一焊接区电性连接，所述第二导电引脚与所述第三功率金属敷层的第三焊接区电性连接，所述第三导电引脚与所述第三功率金属敷层的所述第四焊接区电性连接，第四导电引脚与所述第二功率金属敷层的第二焊接区电性连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述衬底主体还包括四组功率开关，四组功率开关分别设置于所述第一功率金属敷层和所述第二功率金属敷层的靠近所述第四功率金属敷层的区域，以及，所述第四功率金属敷层的靠近所述第三功率金属敷层的两侧区域。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，每组所述功率开关包括沿所述衬底的长边方向依次排布的功率半导体器件，每个所述功率半导体器件上均设置有联通连接装置，每组所述功率开关中的功率半导体器件的数量范围为3个至5个。

4.根据权利要求3所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述功率半导体器件包括二极管、结型场效应管、金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管中的任一种，所述功率开关采用硅、碳化硅、氮化镓中的至少一种半导体材料制造。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述衬底主体还包括：

设置于所述第四功率金属敷层上的第一辅助金属敷层、第一源极信号端子和第一门极信号端子，所述第一辅助金属敷层靠近所述交流端子连接处设置，所述第一辅助金属敷层设有向远离所述交流端子连接处的方向延伸的第一突出结构，所述第一源极信号端子设置于所述第一突出结构的远离所述交流端子连接处的一侧，所述第一门极信号端子设置在所述第一辅助金属敷层上；

设置于所述第三功率金属敷层上的第二辅助金属敷层、第二源极信号端子和第二门极信号端子，所述第二辅助金属敷层设置在所述第三功率金属敷层的靠近所述第四功率金属敷层的边缘区域，所述第二辅助金属敷层设置有向远离所述第四功率金属敷层的方向延伸的第二突出结构，所述第二源极信号端子设置于所述第二突出结构的远离所述第二辅助金属敷层的一侧，所述第二门极信号端子设置在所述第二辅助金属敷层上。

6.根据权利要求5所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第一功率金属敷层和所述第二功率金属敷层的靠近所述负极端子的区域分别设置有正极端子，所述第一焊接区和所述第二焊接区均靠近所述正极端子连接处设置，所述第三焊接区和所述第四焊接区均靠近所述负极端子连接处。

7.根据权利要求6所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第一功率金属敷层、所述第二功率金属敷层、所述第三功率金属敷层、所述第四功率金属敷层、所述第一辅助金属敷层和所述第二辅助金属敷层均为铜层；和/或，

所述第四功率金属敷层的沿所述衬底的短边方向的宽度范围为10毫米至15毫米。

8.根据权利要求7所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述吸收电容的最大工作温度不低于150摄氏度；和/或，

所述第一导电引脚、所述第二导电引脚、所述第三导电引脚和所述第四导电引脚均采用银线或者铜线制成。