[发明专利]薄膜覆晶封装结构在审
申请号: | 202010571655.X | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN113517252A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 黄建勋;陈必昌 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/31 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 封装 结构 | ||
1.一种薄膜覆晶封装结构,其特征在于,包括:
可挠性线路载板,包括:
可挠性基板,具有彼此相对的第一表面与第二表面以及芯片接合区;以及
线路结构,配置于所述可挠性基板,且包括多个第一引脚、多个第二引脚以及至少一虚引脚,所述多个第一引脚配置于所述第一表面上且包括位于所述芯片接合区内的多个内引脚部,所述多个第二引脚与所述至少一虚引脚配置于所述第二表面上,且所述至少一虚引脚延伸入所述芯片接合区内;以及
芯片,配置于所述第一表面上并位于所述芯片接合区内,且包括多个凸块及至少一虚凸块,其中所述多个凸块分别连接所述多个内引脚部,而所述至少一虚引脚沿着第一方向延伸且将所述至少一虚凸块于所述可挠性基板上的正投影在垂直所述第一方向的第二方向上的宽度在容许公差内均分。
2.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述芯片具有相对的两个长边与相对的两个短边,所述芯片接合区具有对应所述两个长边的两个第一侧与对应所述两个短边的两个第二侧,所述两个长边与所述两个短边构成多个芯片角落,所述两个第一侧与所述两个第二侧构成多个接合区角落。
3.根据权利要求2所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述至少一虚凸块位于所述多个芯片角落的至少其中一个,而所述至少一虚引脚延伸入所述多个接合区角落的至少其中一个。
4.根据权利要求3所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述至少一虚凸块包括第一虚凸块与第二虚凸块,所述第一虚凸块与所述第二虚凸块分别位于所述多个芯片角落的其中两个。
5.根据权利要求4所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述至少一虚引脚包括第一虚引脚与第二虚引脚,所述第一虚引脚延伸经过所述芯片接合区的所述两个第一侧的其中一个,且所述第一虚引脚将所述第一虚凸块于所述可挠性基板上的正投影在平行所述两个第一侧的其中一个上的宽度在容许公差内均分,而所述第二虚引脚延伸经过所述芯片接合区的所述两个第二侧的其中一个,且所述第二虚引脚将所述第二虚凸块于所述可挠性基板上的正投影在平行所述两个第二侧的其中一个上的宽度在容许公差内均分。
6.根据权利要求3所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述可挠性线路载板还包括:
第一防焊层,配置于所述可挠性基板的所述第一表面上,且位于所述芯片接合区之外,所述第一防焊层局部覆盖所述多个第一引脚;以及
第二防焊层,配置于所述可挠性基板的所述第二表面上,且至少局部覆盖所述多个第二引脚并暴露出所述至少一虚凸块所位于的所述多个芯片角落的至少其中一个于所述可挠性基板上的正投影处。
7.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述至少一虚凸块的面积大于所述多个凸块的每一个的面积。
8.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述至少一虚引脚将所述至少一虚凸块于所述可挠性基板上的正投影在所述第二方向上的宽度均分成第一距离与第二距离,沿着所述第二方向排列的所述多个第一引脚具有偏移容许公差,且所述第一距离与所述第二距离的差的绝对值小于等于所述偏移容许公差。
9.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,所述多个第一引脚与所述多个第二引脚不重叠所述至少一虚凸块于所述可挠性基板上的正投影。
10.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构,其特征在于,还包括:
封装胶体,配置于所述可挠性线路载板与所述芯片之间,其中所述封装胶体包覆所述多个凸块、所述至少一虚凸块与所述多个内引脚部。
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