[发明专利]一种中心键合点芯片的堆叠结构和方法

权利要求书

1.一种中心键合点芯片的堆叠结构，其特征在于，包括从下到上依次粘结堆叠的基底(10)、下层芯片(7)、包丝绝缘胶涂覆层(4)、粘结绝缘胶涂覆层(5)和上层芯片(8)；其中绝缘胶涂覆层(4)内包裹有所有的一层键合丝(1)，一层键合丝(1)的一端粘结在下层芯片(7)上表面的第一中间位置(9)，另一端粘结在基底(10)上；上层芯片(8)上表面的第二中间位置(11)和基底(10)之间键合有二层键合丝(3)；

所述第一中间位置(9)和下层芯片(7)的长度相同，宽度小于等于下层芯片(7)宽度的一半，且第一中间位置(9)的中心线和下层芯片(7)的中心线重合；

所述第二中间位置(11)和上层芯片(8)的长度相同，宽度小于等于上层芯片(8)宽度的一半，且第二中间位置(11)的中心线和上层芯片(8)的中心线重合。

2.根据权利要求1所述的一种中心键合点芯片的堆叠结构，其特征在于，所述一层键合丝(1)和二层键合丝(3)的长度均为40mm。

3.根据权利要求1所述的一种中心键合点芯片的堆叠结构，其特征在于，包丝绝缘胶涂覆层(4)和粘结绝缘胶涂覆层(5)均为FF4450HF绝缘胶。

4.一种中心键合点芯片的堆叠方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，粘结下层芯片(7)和基底(10)，将所有一层键合丝(1)的上端连接在下层芯片(7)的第一中间位置(9)，将所有一层键合丝(1)的下端连接在基底(10)上，制备出第一过程模块；

步骤2，在下层芯片(7)上制备包丝绝缘胶涂覆层(4)，包丝绝缘胶涂覆层(4)的将所有的一层键合丝(1)包裹在内，形成第二过程模块；

步骤3，在包丝绝缘胶涂覆层(4)上通过粘结绝缘胶涂覆层(5)粘结上层芯片(8)；

步骤4，在上层芯片(8)上键合二层键合丝(3)，二层键合丝(3)的上端连接在上层芯片(8)的第二中间位置(11)，二层键合丝(3)的下端连接在基底(10)上；

整个堆叠结构制备结束。

5.根据权利要求4所述的一种中心键合点芯片的堆叠方法，其特征在于，步骤1中和步骤4的键合过程通过KS Iconn自动金丝键合机键合，通过用Westbond 70PE-T无损拉克仪分别对一层键合丝(1)和二层键合丝(3)整形。

6.根据权利要求4所述的一种中心键合点芯片的堆叠方法，其特征在于，步骤2的具体过程为：将第一过程模块放置在加热台上，加热加热台，将绝缘胶涂覆在下层芯片7的表面，涂覆的绝缘胶将所有的一层键合丝1包裹在其内部，然后进行烘烤，烘烤至绝缘胶完全固化，形成第二过程模块。

7.根据权利要求6所述的一种中心键合点芯片的堆叠方法，其特征在于，加热台的加热温度为80℃。

8.根据权利要求6所述的一种中心键合点芯片的堆叠方法，其特征在于，加热加热台后，将加热台移至显微镜下，在显微镜下进行绝缘胶的涂覆过程。

9.根据权利要求6所述的一种中心键合点芯片的堆叠方法，其特征在于，烘烤绝缘胶前，对包裹有一层键合丝(1)的绝缘胶进行X光检测。

10.根据权利要求6所述的一种中心键合点芯片的堆叠结构，其特征在于，烘烤温度为150℃。