[发明专利]一种适用于Micro OLED显示器的一体化薄膜结构的制备方法在审
申请号: | 202010568101.4 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN111785684A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 李雪原;王登峰;任清江;晋芳铭;刘胜芳 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32;H01L51/52;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 尹婷婷 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 micro oled 显示器 一体化 薄膜 结构 制备 方法 | ||
本发明公开了一种适用于Micro OLED显示器的一体化薄膜结构的制备方法,通过喷墨打印工艺在OLED发光器件及没有被OLED发光器件覆盖的基底表面打印上可在紫外光照射下实现分离并成膜的无机‑有机杂化前驱体;该材料通过紫外光诱导后,杂化材料结构被破坏,无机材料被释放到底层并自主装成一层无机薄膜,有机物受到紫外光固化,形成有机层。从而通过一步工艺制程同时实现无机层及有机层的制备,简化工艺流程;根据此方法制备得到的Micro OLED显示器经验证其在85℃、85%高温高湿的环境下储存240h无新增黑点,可靠性较好,可见其可有效防止水汽或氧气的侵蚀。
技术领域
本发明属于Micro OLED显示器技术领域,具体涉及一种适用于Micro OLED显示器的一体化薄膜结构的制备方法。
背景技术
Micro OLED(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马,现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场,并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用,Micro OLED微显示器将迎来爆发式的增长。市场上现有的终端产品多为头戴式或穿戴式设备。在屏体的封装中,由于尺寸过小,无法对TFE结构进行图案化,普遍采用整面镀膜,再用干刻或者激光等方式对其进行图案化。这样会导致TFE断面暴露在环境中,环境中的水汽或氧气会从侧面侵蚀进入OLED器件,导致屏体失效,可靠性变差。而薄膜封装可在一定程度上避免上述问题的发生。
虽然,Micro OLED微显示器的薄膜封装结构中也包含了无机-有机的叠装结构,但是其多是通过传统的无机、有机的多次涂覆成膜得到,其示意图如图5所示,其工艺较为复杂,且成本较高。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种适用于Micro OLED显示器的一体化薄膜结构的制备方法,通过喷墨打印工艺在OLED发光器件及没有被OLED发光器件覆盖的基底表面打印上可在紫外光照射下实现分离并成膜的无机-有机杂化前驱体;该材料通过紫外光诱导后,杂化材料结构被破坏,无机材料被释放到底层并自主装成一层无机薄膜,有机物受到紫外光固化,形成有机层。从而通过一步工艺制程同时实现无机层及有机层的制备,简化工艺流程。
本发明还提供了一种Micro OLED显示器的制备方法,利用所述的制备方法制备出带有一体化薄膜结构封装的OLED器件,对其依次进行彩膜工艺、剥离盖板贴合、切割、模组组装。这样制备的Micro OLED显示器经验证其在85℃、85%高温高湿的环境下储存240h无新增黑点,可靠性较好。
一种适用于Micro OLED显示器的一体化薄膜结构的制备方法,包括以下步骤:
(1)在OLED发光器件及没有被OLED发光器件覆盖的基底表面使用喷墨打印工艺打印上可在紫外光照射下实现分离并成膜的无机-有机杂化前驱体;
(2)对无机-有机杂化前驱体进行第一次紫外光照射以实现无机、有机的分离,然后流平;
(3)流平后进行第二次紫外光照射以形成无机层和有机层;
(4)多次重复步骤(1)-(3),完成薄膜封装层制备。
进一步地,步骤(1)中,打印的厚度为0.5~2μm,优选为1.5μm。
步骤(2)中,第一次紫外光照射时,紫外光波长为395~400nm,优选为395nm;紫外光能量为1000~3000mJ/m2,优选为1100mJ/m2;紫外照射时间为40~200s,优选为150s。
步骤(2)中,流平的时间为150~400s,优选为300s。所述流平为在喷墨打印设备中于N2环境下静置即可。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造