[发明专利]从硅树脂中毒中恢复传感器的方法、设备和系统

说明书

本发明涉及从硅树脂中毒中恢复传感器的方法、设备和系统。本文描述的各种实施例涉及用于从硅树脂中毒中恢复气体传感器的方法、设备和系统。在示例性实施例中，提供了一种从硅树脂中毒中恢复气体感测设备的方法。该方法包括将气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的时段。预定的氢浓度破坏在气体感测设备的催化珠上形成的氧化硅键。该方法还包括向气体感测设备提供甲烷浓度达甲烷暴露时间的时段。该方法还包括基于气体感测设备对甲烷浓度的反应来确定气体感测设备是否满足预定的校准灵敏度。

技术领域

本公开总体上涉及用于从硅树脂中毒（silicone poisoning）中恢复传感器的方法、设备和系统，并且更具体地涉及用于使用氢从硅树脂中毒中恢复传感器的方法、设备和系统。

背景技术

气体传感器是一种可以检测包括例如可燃气体、易燃气体和/或有毒气体的气体物质的存在和/或浓度水平的装置。例如，爆炸下限(LEL)气体传感器可以测量可燃和/或易燃气体物质(诸如丙烷和甲烷)的高达该气体物质的爆炸下限的百分之百(100%)的浓度水平。术语“爆炸下限”是指当有火源时空气中支持燃烧的气体物质的最低浓度水平。申请人已经发现与现有LEL气体传感器相关联的许多缺陷和问题。通过付出的努力、独创性和创新，通过本公开的方法和设备已经解决了许多这些被发现的问题。

发明内容

本文描述的各种实施例涉及用于从硅树脂中毒中恢复气体传感器的方法、设备和系统。在一个示例性实施例中，提供了一种从硅树脂中毒中恢复气体感测设备的方法。该方法包括将气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间。预定的氢浓度破坏在气体感测设备的催化珠上形成的氧化硅键。该方法还包括向气体感测设备提供甲烷浓度达甲烷暴露时间的时段。该方法还包括基于气体感测设备对甲烷浓度的反应来确定气体感测设备是否满足预定的校准灵敏度。

在一些实施例中，将气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间在其中存在硅树脂污染源的实例中发生。在一些实施例中，预定的氢浓度为从1.8体积%至4体积%的过氧化氢。在一些实施例中，氢暴露时间的时段为从10秒至3分钟。在一些实施例中，在气体感测设备暴露于氢浓度之后，甲烷浓度被提供给气体感测设备。在一些实施例中，甲烷浓度大于2.5体积%的甲烷。在一些实施例中，权利要求1的每个步骤以规则的间隔重复。在一些实施例中，规则的间隔在1天和1个月之间。在一些实施例中，在其中气体感测设备不满足预定校准灵敏度的实例中，该方法还包括重复上面讨论的每个步骤。

在一些实施例中，气体感测设备是低爆炸水平传感器。在一些实施例中，气体感测设备具有从2伏至5伏的电压。在一些实施例中，气体感测设备是基于非硅树脂的低爆炸水平传感器。在一些实施例中，气体感测设备包括至少部分地由铝制成的载体。

在另一个示例性实施例中，提供了一种恢复设备，其被配置成从硅树脂中毒中恢复气体感测设备。恢复设备包括至少一个处理器，该处理器被配置成将气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间。预定的氢浓度破坏在气体感测设备的催化珠上形成的氧化硅键。恢复设备还被配置成向气体感测设备提供甲烷浓度达甲烷暴露时间的时段。恢复设备还被配置成基于气体感测设备对甲烷浓度的反应来确定气体感测设备是否满足预定的校准灵敏度。

在一些实施例中，将气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间在其中存在硅树脂污染源的实例中发生。在一些实施例中，预定的氢浓度为从1.8体积%至4体积%的过氧化氢。在一些实施例中，氢暴露时间的时段为从10秒至3分钟。在一些实施例中，在气体感测设备暴露于氢浓度之后，甲烷浓度被提供给气体感测设备。在一些实施例中，甲烷浓度大于2.5体积%的甲烷。在一些实施例中，权利要求1的每个步骤以规则的间隔重复。在一些实施例中，规则的间隔在1天和1个月之间。在一些实施例中，在其中气体感测设备不满足预定校准灵敏度的实例中，恢复设备还被配置成重复上面讨论的每个步骤。