[发明专利]从硅树脂中毒中恢复传感器的方法、设备和系统在审
| 申请号： | 202010566723.3 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN113820449A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘玲;魏娜;张福丞 | 申请（专利权）人： | 瑞益系统公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘桢;刘茜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅树脂 中毒 恢复 传感器 方法 设备 系统 | ||
1.一种从硅树脂中毒中恢复气体感测设备的方法，所述方法包括：
将所述气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的时段，其中，所述预定的氢浓度破坏在所述气体感测设备的催化珠上形成的氧化硅键；
向所述气体感测设备提供甲烷浓度达甲烷暴露时间的时段；和
基于所述气体感测设备对所述甲烷浓度的反应，确定所述气体感测设备是否满足预定的校准灵敏度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间在其中存在硅树脂污染源的实例中发生。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定的氢浓度为从1.8体积%至4体积%的过氧化氢。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氢暴露时间的时段为从10秒至3分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述气体感测设备暴露于所述氢浓度之后，所述甲烷浓度被提供给所述气体感测设备。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述甲烷浓度大于2.5体积%的甲烷。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，权利要求1的每个步骤以规则的间隔重复。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述规则的间隔在1天和1个月之间。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在其中所述气体感测设备不满足所述预定校准灵敏度的实例中，所述方法还包括重复权利要求1的每个步骤。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体感测设备是低爆炸水平传感器。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述气体感测设备具有从2伏至5伏的电压。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述气体感测设备是基于非硅树脂的低爆炸水平传感器。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体感测设备包括至少部分地由铝制成的载体。
14.一种配置成从硅树脂中毒中恢复气体感测设备的恢复设备，所述恢复设备包括一个或多个气室和至少一个处理器，所述至少一个处理器被配置成：
将所述气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的时段，其中，所述预定的氢浓度破坏在所述气体感测设备的催化珠上形成的氧化硅键；
向所述气体感测设备提供甲烷浓度达甲烷暴露时间的时段；和
基于所述气体感测设备对所述甲烷浓度的反应，确定所述气体感测设备是否满足预定的校准灵敏度。
15.根据权利要求14所述的恢复设备，其中，将所述气体感测设备暴露于预定的氢浓度达氢暴露时间的持续时间在其中存在硅树脂污染源的实例中发生。
16.根据权利要求14所述的恢复设备，其中，所述预定的氢浓度为从1.8体积%至4体积%的过氧化氢。
17.根据权利要求14所述的恢复设备，其中，所述氢暴露时间的时段为从10秒至3分钟。
18.根据权利要求14所述的恢复设备，其中，在所述气体感测设备暴露于所述氢浓度之后，所述甲烷浓度被提供给所述气体感测设备。
19.根据权利要求14所述的恢复设备，其中，所述甲烷浓度大于2.5体积%的甲烷。
20.根据权利要求14所述的恢复设备，其中，权利要求1的每个步骤以规则的间隔重复。
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