[发明专利]半导体装置

说明书

一种装置，其包括：层的堆叠，其至少限定：在堆叠的第一层级处的第一导体图案；以及相应半导体通道区中的一个或多个半导体通道，半导体通道连接第一导体图案的一对部分，且经由电介质电容耦合到堆叠的第二层级处的第二导体图案的耦合导体；其中堆叠包括：上方形成第一层级导体图案或第二层级导体图案的至少两个绝缘体图案；其中至少两个绝缘体图案的第一绝缘体图案至少占据一个或多个半导体通道区，以提供电介质；且至少两个绝缘体图案的第二绝缘体图案至少在一个或多个半导体通道区中限定一个或多个窗口，第二导体图案通过窗口而非经由第二绝缘体图案接触第一绝缘体图案；其中第二绝缘体图案与一个或多个半导体通道区外部的第一绝缘体图案重叠。

技术领域

半导体装置可包括层的堆叠，其限定在堆叠的两个层级处的至少两个导体图案，以及一个或多个半导体通道，每一半导体通道连接导体图案中之一的部分，且每一半导体通道电容耦合到另一导体图案的导体。

背景技术

常规地，两个导体图案的上部形成于堆叠的连续绝缘体层的表面上。

发明内容

本申请的发明人已发明有助于改进此类半导体装置的性能和/或稳定性的技术。

据此提供一种装置，其包括：层的堆叠，所述层的堆叠至少限定：在堆叠的第一层级处的第一导体图案；以及相应半导体通道区中的一个或多个半导体通道，半导体通道连接第一导体图案的一对部分，且经由电介质电容耦合到堆叠的第二层级处的第二导体图案的耦合导体；其中堆叠包括：上方形成第一层级导体图案或第二层级导体图案的至少两个绝缘体图案；其中至少两个绝缘体图案的第一绝缘体图案至少占据一个或多个半导体通道区，以提供电介质；且至少两个绝缘体图案的第二绝缘体图案至少在一个或多个半导体通道区中限定一个或多个窗口，第二导体图案通过窗口而非经由第二绝缘体图案接触所述第一绝缘体图案；其中第二绝缘体图案与一个或多个半导体通道区外部的第一绝缘体图案重叠。

根据一个实施例，第二层级导体图案形成于至少两个绝缘体图案上方；且第二层级导体图案的耦合导体至少形成于第一绝缘体图案的整个区域上方。

根据一个实施例，一个或多个窗口至少在相应半导体通道区的整个区域上方延伸。

根据一个实施例，第一绝缘体图案包括绝缘体层的堆叠。

根据一个实施例，第二导体图案限定栅极导体阵列，从而提供用于晶体管阵列的相应列的栅极电极，且也在第二绝缘体图案上方延伸。

根据一个实施例，相比粘附到第一绝缘体图案的表面，栅极导体较好地粘附到第二绝缘体图案的表面。

根据一个实施例，半导体图案提供半导体通道，且半导体图案匹配第一绝缘体图案。

据此还提供一种方法，其包括：形成第一导体图案；在第一导体图案上方形成至少两个绝缘体图案；在至少两个绝缘体图案上方形成第二导体图案；其中至少两个绝缘体图案的第一绝缘体图案至少占据一个或多个半导体通道区，以在一个或多个半导体通道与第一和第二导体图案中之一的一个或多个导体之间提供电介质；且其中所述方法包括在形成第一绝缘体图案之后形成至少两个绝缘体图案的第二绝缘体图案，其中第二绝缘体图案至少在一个或多个半导体通道区中限定窗口，第二导体图案通过窗口而非经由第二绝缘体图案接触第一绝缘体图案。

根据一个实施例，所述方法包括选择性地在第一绝缘体图案上方提供第三导体图案，且其中第二导体图案经由第三导体图案形成于第一绝缘体图案上方，且经由第三导体图案接触第一绝缘体图案。

根据一个实施例，第二绝缘体图案与一个或多个半导体通道区外部的第一绝缘体图案重叠。

根据一个实施例，第一绝缘体图案在一个或多个半导体通道与第二导体图案的一个或多个导体之间提供电介质，且第二层级导体图案的一个或多个导体至少形成于第一绝缘体图案的整个区域上方。