[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202010565530.6 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN112201663A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 珍·琼格曼;乔佛瑞·杜瑞 | 申请(专利权)人: | 弗莱克英纳宝有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;秦小耕 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种装置,其特征在于:包括:层的堆叠,所述层的堆叠至少限定:在所述堆叠的第一层级处的第一导体图案;以及相应半导体通道区中的一个或多个半导体通道,所述半导体通道连接所述第一导体图案的一对部分,且经由电介质电容耦合到所述堆叠的第二层级处的第二导体图案的耦合导体;其中所述堆叠包括:上方形成第一层级导体图案或第二层级导体图案的至少两个绝缘体图案;其中所述至少两个绝缘体图案的第一绝缘体图案至少占据所述一个或多个半导体通道区,以提供所述电介质;且所述至少两个绝缘体图案的第二绝缘体图案至少在所述一个或多个半导体通道区中限定一个或多个窗口,所述第二导体图案通过所述窗口而非经由所述第二绝缘体图案接触所述第一绝缘体图案;其中所述第二绝缘体图案与所述一个或多个半导体通道区外部的所述第一绝缘体图案重叠。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:所述第二层级导体图案形成于所述至少两个绝缘体图案上方;且所述第二层级导体图案的耦合导体至少形成于所述第一绝缘体图案的整个区域上方。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的装置,其特征在于:所述一个或多个窗口至少在所述相应半导体通道区的整个区域上方延伸。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的装置,其特征在于:所述第一绝缘体图案包括绝缘体层的堆叠。
5.根据权利要求1到4中任一项所述的装置,其特征在于:所述第二导体图案限定栅极导体阵列,从而提供用于晶体管阵列的相应列的栅极电极,且也在所述第二绝缘体图案上方延伸。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于:相比粘附到所述第一绝缘体图案的表面,所述栅极导体较好地粘附到所述第二绝缘体图案的表面。
7.根据权利要求5或权利要求6所述的装置,其特征在于:半导体图案提供所述半导体通道,且所述半导体图案匹配所述第一绝缘体图案。
8.一种方法,其特征在于:包括:形成第一导体图案;在所述第一导体图案上方形成至少两个绝缘体图案;在所述至少两个绝缘体图案上方形成第二导体图案;其中所述至少两个绝缘体图案的第一绝缘体图案至少占据一个或多个半导体通道区,以在一个或多个半导体通道与所述第一和第二导体图案中的一个的一个或多个导体之间提供电介质;且其中所述方法包括在形成所述第一绝缘体图案之后形成所述至少两个绝缘体图案的第二绝缘体图案,其中所述第二绝缘体图案至少在所述一个或多个半导体通道区中限定窗口,所述第二导体图案通过所述窗口而非经由所述第二绝缘体图案接触所述第一绝缘体图案。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:包括选择性地在所述第一绝缘体图案上方提供第三导体图案,且其中所述第二导体图案经由所述第三导体图案形成于所述第一绝缘体图案上方,且经由所述第三导体图案接触所述第一绝缘体图案。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于:所述第二绝缘体图案与所述一个或多个半导体通道区外部的所述第一绝缘体图案重叠。
11.根据权利要求9或权利要求10所述的方法,其特征在于:所述第一绝缘体图案在所述一个或多个半导体通道与所述第二导体图案的一个或多个导体之间提供电介质,且所述第二层级导体图案的一个或多个导体至少形成于所述第一绝缘体图案的整个区域上方。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:形成所述第二导体图案包括使用一个或多个图案化试剂,在由所述至少两个绝缘体图案一起限定的表面上就地图案化一个或多个导体层;其中所述第二绝缘体图案包括相比构成所述第一绝缘体图案的一个或多个绝缘体材料,较不易受到所述一个或多个图案化试剂的表面粗糙化影响,和/或相比构成所述第一绝缘体图案的一个或多个绝缘体材料,对所述一个或多个图案化试剂渗透性较低的绝缘体材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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