[发明专利]用于将物理层与通过多重图案化形成的图案对齐的方法和相关联系统

说明书

公开了用于将物理层与通过多重图案化形成的图案对齐的方法以及相关联的系统。一种方法可以包含确定用于通过多重图案化形成图案的第一层与第二层之间的未对齐向量。所述方法还可以包含基于所述第一层与所述第二层之间的所述未对齐向量计算所述图案的中心位置。进一步地，所述方法可以包含将第三层与所述图案的中心位置对齐。

优先权要求

本申请要求于2019年8月30日提交的针对“用于将物理层与通过多重图案化形成的图案对齐的方法和相关联系统(Methods for Aligning a Physical Layer to aPattern Formed via Multi-Patterning，and Associated Systems)”的美国专利申请序列号16/556，927的权益。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体制造，并且更具体地涉及将物理层与通过多重图案化形成的图案对齐的方法。又更具体地，一些实施例涉及确定通过一或多个多重图案化操作形成的图案的中心，以及将物理层与图案的中心对齐的方法和相关系统。

背景技术

作为常用于集成电路(IC)制造的一种工艺的光刻可以用于通过向沉积在衬底上的反应性材料或抗蚀剂受控地施加能量(例如，电磁、离子束或其它辐射)来在衬底上创建二维图案。随着衬底处理中的几何形状继续收缩，在衬底上形成结构的技术挑战增加。一种用于实现愈加减小的临界尺寸的适合的光刻技术涉及用于提供间距分离的多重图案化技术。此类多重图案化技术包含例如双重图案化(即，涉及两个图案层)、三重图案化(即，涉及三个图案层)和四重图案化(即，涉及四个图案层)。在多重图案化工艺中，将在单个光刻步骤中不可打印的目标图案分解为可以通过单个光刻步骤印刷的具有较小间距的多个图案层。在双重图案化的情况下，目标图案被分解为第一图案层和第二图案层。

随着多重图案化光刻的演进，IC制造中的另一个挑战包含对齐IC的连续结构(例如，层和/或图案)，以确保IC的结构之间的适当电接触。在未适当对齐的情况下，IC可能无法按规格(如果有的话)运行。

发明内容

本公开的一或多个实施例包含将物理层与图案对齐的方法。所述方法可以包含确定用于通过多重图案化形成图案的第一层与第二层之间的未对齐向量。所述方法还可以包含基于所述第一层与所述第二层之间的所述未对齐向量计算所述图案的中心位置。进一步地，所述方法可以包含将第三层与所述图案的中心位置对齐。

在另一个实施例中，将物理层与图案对齐的方法可以包含确定与通过多重图案化形成的图案相关联的位移向量。所述方法可以进一步包含基于所述位移向量确定所述图案的中心位置。进一步地，所述方法可以包含基于多个可测量向量确定导电层与所述图案的所述中心位置之间的配准向量。

根据另一个实施例，一种方法可以包含将物理层与通过多重图案化光刻形成的虚拟层对齐。在此实施例中，所述方法包含通过多重图案化形成虚拟层，以及确定用于形成所述虚拟层的至少两个物理层之间的位移向量。进一步地，所述方法可以包含基于所述位移向量确定所述虚拟层的中心。而且，所述方法可以包含确定第三物理层与所述虚拟层的所述中心之间的配准向量。此外，所述方法可以包含基于所述配准向量将第三物理层与所述虚拟层的中心对齐。

本公开的一些实施例包含一种系统。所述系统可以包含一或多个处理器。所述一或多个处理器可以被配置成确定用于通过多重图案化形成图案的第一层与第二层之间的配准向量。所述一或多个处理器还可以被配置成基于所述第一层与所述第二层之间的所述配准向量以及与所述第一层和所述第二层相关联的第一变换矩阵来确定所述图案的位置。进一步地，所述一或多个处理器可以被配置成基于以下中的两个或两个以上确定第三层与所述图案之间的配准向量：所述第一层与所述第二层之间的所述配准向量、所述第三层与所述第一层之间的配准向量以及所述第三层和所述第二层之间的配准向量。

附图说明

图1展示了浅沟槽隔离模块和字线模块。