[发明专利]一种反应腔体及其处理方法

说明书

本发明提供一种反应腔体及其处理方法，反应腔体用于在衬底上形成含碳的无定型陶瓷膜，包括：衬底支撑座，衬底支撑座用于作为一端电极且用于对衬底进行加热，衬底支撑座的表面和反应腔体内壁依次形成有第一保护膜和第二保护膜，第一保护膜为氧化物陶瓷薄膜，第二保护膜为含碳的无定型陶瓷膜。这样，通过在反应腔体内壁上和衬底支撑座表面形成结构致密的氧化物陶瓷薄膜，衬底支撑座的表面上的氧化物陶瓷薄膜将衬底与衬底支撑座隔离开，避免衬底支撑座上的离子扩散至衬底表面，同时反应腔体内壁上的氧化物陶瓷薄膜避免反应离子或杂质离子粘附在反应腔体内壁上对反应腔体造成污染。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种反应腔体及其处理方法。

背景技术

非晶碳膜是一种具有非晶态和微晶态结构的含氢碳膜(Hydrogenated AmorphousCarbon Film)，具有高硬度、抗耐磨、光学透光性、低摩擦系数及化学惰性等优异性能，广泛用于集成电路中。

目前在晶圆上沉积非晶碳膜，主要是通过将晶圆置于反应腔体内的加热盘上，而后向反应腔体内通入气体，以在晶圆上生成薄膜。

但是目前的加热盘采用铝制加热盘，加热盘中的离子容易扩散至晶圆背面，从而影响后续制程。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种反应腔体及其，避免加热盘中的离子进入晶圆背面。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种反应腔体，所述反应腔体用于在衬底上形成含碳的无定型陶瓷膜，包括：

衬底支撑座，所述衬底支撑座用于作为一端电极且用于对衬底进行加热；

所述衬底支撑座的表面和所述反应腔体内壁依次形成有第一保护膜和第二保护膜；

所述第一保护膜为氧化物陶瓷薄膜，所述第二保护膜为含碳的无定型陶瓷膜。

可选的，所述在衬底上形成的含碳的无定型陶瓷膜与所述第二保护膜相同。

一种反应腔体的处理方法，所述反应腔体用于在衬底上形成含碳的无定型陶瓷膜，所述反应腔体包括：衬底支撑座，所述衬底支撑座用于作为一端电极且用于对衬底进行加热，所述方法包括：

在所述反应腔体的内壁和所述衬底支撑座表面形成氧化物陶瓷薄膜；

在所述氧化物陶瓷薄膜表面形成含碳的无定型陶瓷膜。

可选的，还包括：

将衬底置于上述所述的反应腔体内的衬底支撑座上，在所述衬底表面形成含碳的无定型陶瓷膜。

可选的，所述在所述反应腔体中形成氧化物陶瓷薄膜包括：

向所述反应腔体通入硅烷和含氮的氧化物，对所述硅烷和所述含氮的氧化物进行第一射频处理，以在所述反应腔体中形成氧化物陶瓷薄膜。

可选的，所述在所述氧化物陶瓷薄膜表面形成含碳的无定型陶瓷膜包括：

向所述反应腔体内通入不饱和烃和惰性气体，对所述不饱和烃和所述惰性气体进行第二射频处理，以在所述氧化物陶瓷薄膜的表面形成含碳的无定型陶瓷膜。

可选的，所述进行第一射频处理时的功率不大于所述进行第二射频处理时的功率。

可选的，所述在所述衬底表面形成含碳的无定型陶瓷包括：

向所述反应腔体内通入不饱和烃和惰性气体，对所述不饱和烃和所述惰性气体进行第三射频处理，以在所述衬底表面形成含碳的无定型陶瓷膜。

可选的，还包括：

从所述反应腔体内取出所述衬底；