[发明专利]一种反应腔体及其处理方法

权利要求书

1.一种反应腔体，其特征在于，所述反应腔体用于在衬底上形成含碳的无定型陶瓷膜，包括：

衬底支撑座，所述衬底支撑座用于作为一端电极且用于对衬底进行加热；

所述衬底支撑座的表面和所述反应腔体内壁依次形成有第一保护膜和第二保护膜；

所述第一保护膜为氧化物陶瓷薄膜，所述第二保护膜为含碳的无定型陶瓷膜。

2.根据权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，所述在衬底上形成的含碳的无定型陶瓷膜与所述第二保护膜相同。

3.一种反应腔体的处理方法，其特征在于，所述反应腔体用于在衬底上形成含碳的无定型陶瓷膜，所述反应腔体包括：衬底支撑座，所述衬底支撑座用于作为一端电极且用于对衬底进行加热，所述方法包括：

在所述反应腔体的内壁和所述衬底支撑座表面形成氧化物陶瓷薄膜；

在所述氧化物陶瓷薄膜表面形成含碳的无定型陶瓷膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

将衬底置于权利要求1或2所述的反应腔体内的衬底支撑座上，在所述衬底表面形成含碳的无定型陶瓷膜。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述反应腔体中形成氧化物陶瓷薄膜包括：

向所述反应腔体通入硅烷和含氮的氧化物，对所述硅烷和所述含氮的氧化物进行第一射频处理，以在所述反应腔体中形成氧化物陶瓷薄膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化物陶瓷薄膜形成含碳的无定型陶瓷膜包括：

向所述反应腔体内通入不饱和烃和惰性气体，对所述不饱和烃和所述惰性气体进行第二射频处理，以在所述氧化物陶瓷薄膜的表面形成含碳的无定型陶瓷膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述进行第一射频处理时的功率不大于所述进行第二射频处理时的功率。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面形成含碳的无定型陶瓷包括：

向所述反应腔体内通入不饱和烃和惰性气体，对所述不饱和烃和所述惰性气体进行第三射频处理，以在所述衬底表面形成含碳的无定型陶瓷膜。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

从所述反应腔体内取出所述衬底；

去除所述反应腔体中的所述含碳的无定型陶瓷膜以及所述氧化物陶瓷薄膜。

10.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述进行第一射频处理时的射频频率为27MHz～28MHz。