[发明专利]具有有噪测量的对象的排名在审
申请号: | 202010563066.7 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN112446185A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 比克拉姆·巴迪亚;艾伦·顾;维韦克·K·辛格;阿布德·阿里·胡奈德·卡加尔瓦拉 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F30/398;G06F119/10;G06F119/18 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 姜飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 测量 对象 排名 | ||
本申请涉及具有有噪测量的对象的排名。提供了一种方法,包括:对于多个数据对象中的每个数据对象,对该数据对象的多个实例执行测量以针对该数据对象生成多个测量值,并且为该数据对象生成测量值的分布。该方法还包括基于为多个数据对象生成的测量值的分布中的每个分布来生成整合分布,并且基于多个数据对象中的第一数据对象的测量值的分布和整合分布为第一数据对象打分。
技术领域
本公开总地涉及计算系统的领域,更具体而言,涉及对具有有噪测量的对象排名。
背景技术
前沿半导体制造工艺是极度复杂的。安置在数十亿美元的工厂中并且包括数百个处理步骤来产生完成的器件,这些制造工艺能够在直径延伸一英尺的晶圆上数千亿次地可靠地印刷10nm那么小的特征。开发新的半导体制造工艺要求定义一组设计规则,这些设计规则建立半导体器件为了确保可制造性而必须遵循的约束。工艺开发还涉及开发光学邻近修正(optical proximity correction,OPC)配方,这些OPC配方在物理设计特征被印刷在掩模上之前对其进行调整以帮助对抗由各种处理步骤引起的特征失真。
扫描电子显微镜(scanning electronic microscopy,SEM)或者在晶圆制造期间取得的其他图像可帮助识别可解释制造缺陷的物理设计图案和几何结构。这些图案和几何结构可用于帮助为工艺定义设计规则和OPC配方。考虑到现代工艺中的大晶圆尺寸和处理步骤的数目,单个晶圆的制造可生成大量的图像数据。随着工艺成熟,制造缺陷不那么频繁地发生,使得很难在巨大数量的图像数据中找到它们。
发明内容
根据本申请的一方面,提供了一种方法,包括:对于多个数据对象中的每个数据对象:对该数据对象的多个实例执行测量,以针对该数据对象生成多个测量值,并且为该数据对象生成所述测量值的分布;基于为所述多个数据对象生成的测量值的分布中的每个分布来生成整合分布;并且基于所述多个数据对象中的第一数据对象的测量值的分布和所述整合分布为所述第一数据对象打分。
根据本申请的另一方面,提供了一种装置,包括:存储器,该存储器用于存储多个图像,该多个图像包括多个数据对象的实例;以及处理器,该处理器耦合到所述存储器,并且用于:对于多个数据对象中的每个数据对象:对该数据对象的多个实例执行测量,以针对该数据对象生成多个测量值,并且为该数据对象生成所述测量值的分布;基于为所述多个数据对象生成的测量值的分布中的每个分布来生成整合分布;并且基于所述多个数据对象中的第一数据对象的测量值的分布和所述整合分布为所述第一数据对象打分。
根据本申请的又一方面,提供了一种系统,包括用于执行上述方法的装置。
附图说明
图1A图示了根据某些实施例的示例性平面晶体管的物理设计。
图1B图示了根据某些实施例的沿着线A-A'截取的图1A的平面晶体管的示例性截面。
图2A-2F图示了根据某些实施例的示例性光刻工艺。
图3A-3D图示了根据某些实施例的印刷在掩模上的特征和由于工艺失真效应在晶圆上处理的那些特征之间的差异和使用光学邻近修正来对抗这些效应。
图4图示了根据某些实施例的硅数据捕捉和利用硅数据来辅助半导体制造工艺开发的实施例。
图5图示了根据某些实施例的用于对对象排名的流程。
图6图示了根据某些实施例的用于对对象排名的计算系统。
图7图示了根据某些实施例的计算系统。
图8图示了根据某些实施例的用于为对象打分的流程。
在各幅图中相似的标号和命名指示相似的元素。
具体实施方式
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