[发明专利]杂芳基并四氢吡啶类化合物的固体形式及其制备方法在审
| 申请号: | 202010557091.4 | 申请日: | 2020-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN112142730A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
| 发明(设计)人: | 李龙;王天明;易仕东;宫正;杨成喜;游泽金;孙晓阳;田强;宋宏梅;薛彤彤;王晶翼 | 申请(专利权)人: | 四川科伦博泰生物医药股份有限公司 |
| 主分类号: | C07D471/04 | 分类号: | C07D471/04 |
| 代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 郭晓永;唐亮 |
| 地址: | 611138 四川省成都市温江区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 杂芳基 吡啶 化合物 固体 形式 及其 制备 方法 | ||
1.式(I)的化合物的晶体A:
其特征在于,所述晶体A的X-射线粉末衍射图谱包括在12.0±0.2°、19.9±0.2°、23.0±0.2°、24.1±0.2°、25.3±0.2°和27.8±0.2°的衍射角(2θ)处的特征峰;优选包括在12.0±0.2°、16.2±0.2°、19.9±0.2°、21.7±0.2°、23.0±0.2°、24.1±0.2°、24.6±0.2°、25.3±0.2°和27.8±0.2°的衍射角(2θ)处的特征峰;更优选包括在9.4±0.2°、12.0±0.2°、12.8±0.2°、13.8±0.2°、15.7±0.2°、16.2±0.2°、18.8±0.2°、19.9±0.2°、21.7±0.2°、23.0±0.2°、24.1±0.2°、24.6±0.2°、25.3±0.2°、27.8±0.2°、28.8±0.2°、30.5±0.2°、34.3±0.2°和36.5±0.2°的衍射角(2θ)处的特征峰;最优选地,所述晶体A的X-射线粉末衍射图谱如图1所示。
2.根据权利要求1所述的式(I)的化合物的晶体A,其特征在于,所述式(I)的化合物的晶体A的DSC图谱包括在66±5℃(起点温度)处的特征峰,优选地进一步包括在191±5℃(起点温度)处的特征峰;最优选地,所述晶体A的DSC图谱如图2所示。
3.根据权利要求1或2所述的式(I)的化合物的晶体A,其特征在于,所述式(I)的化合物的晶体A为水合物,更优选地为倍半水合物。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的式(I)的化合物的晶体A,其特征在于,所述式(I)的化合物的晶体A表现出约8.2%的重量改变,如使用TGA所测得的;优选进一步表现出在200±10℃开始分解,如使用TGA所测得的;最优选地,所述晶体A的TGA图谱如图3所示。
5.制备权利要求1至4中任一项所述的式(I)的化合物的晶体A的方法,其特征在于,所述方法选自室温挥发法、室温悬浮搅拌法和反溶剂结晶法(优选反反溶剂添加法)。
6.式(I)的化合物的晶体B:
其特征在于,所述晶体B的X-射线粉末衍射图谱包括在6.6±0.2°、12.2±0.2°、12.5±0.2°、19.1±0.2°、22.1±0.2°和22.7±0.2°的衍射角(2θ)处的特征峰;优选包括在6.6±0.2°、12.2±0.2°、12.5±0.2°、12.9±0.2°、17.5±0.2°、18.0±0.2°、18.3±0.2°、19.1±0.2°、22.1±0.2°和22.7±0.2°的衍射角(2θ)处的特征峰;更优选包括在6.6±0.2°、12.2±0.2°、12.5±0.2°、12.9±0.2°、17.5±0.2°、18.0±0.2°、18.3±0.2°、19.1±0.2°、20.0±0.2°、20.9±0.2°、21.6±0.2°、22.1±0.2°、22.4±0.2°、22.7±0.2°、23.5±0.2°、23.8±0.2°、24.7±0.2°、25.8±0.2°和26.1±0.2°的衍射角(2θ)处的特征峰;更优选包括在6.6±0.2°、12.2±0.2°、12.5±0.2°、12.9±0.2°、13.8±0.2°、14.8±0.2°、16.1±0.2°、16.4±0.2°、17.5±0.2°、18.0±0.2°、18.3±0.2°、19.1±0.2°、20.0±0.2°、20.9±0.2°、21.5±0.2°、21.6±0.2°、22.1±0.2°、22.4±0.2°、22.7±0.2°、23.5±0.2°、23.8±0.2°、24.7±0.2°、24.9±0.2°、25.5±0.2°、25.8±0.2°、26.1±0.2°、26.7±0.2°、27.0±0.2°、27.5±0.2°、28.7±0.2°、29.9±0.2°、31.8±0.2°、33.3±0.2°、33.8±0.2°、35.3±0.2°和36.3±0.2°的衍射角(2θ)处的特征峰;最优选地,所述晶体B的X-射线粉末衍射图谱如图4所示。
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