[发明专利]曝光装置及物品制造方法

说明书

本发明提供曝光装置及物品制造方法。有利于兼顾投影光学系统的光学性能的校正性能与生产率。曝光装置具有：投影光学系统，将掩模的图案投影到基板；供给部，将折射率互不相同的多种气体以预先设定的混合率即设定混合比来混合而得的混合气体供给到投影光学系统的内部的光学元件间的空间；控制部，通过控制设定混合比来对投影光学系统的成像特性进行校正并对基板进行曝光。控制部获取表示供给部以固定的混合比供给混合气体时的成像特性的演变的响应特性，控制部在将设定混合比设定为目标混合比并对基板进行曝光时，在成像特性转变为稳定状态之前的过渡期间中，将设定混合比设定为基于响应特性对目标混合比进行校正而得的值并对基板进行曝光。

技术领域

本发明涉及曝光装置及物品制造方法。

背景技术

伴随着近年来半导体器件的高集成化的发展，对曝光装置的光学性能的要求也越来越高。作为妨碍曝光装置的光学性能提高的重要原因，能够列举出光学性能会受到投影光学系统内外的气压变化、温度变化等环境变化的影响。

针对这样的环境变化，存在如下方法，向投影光学系统内的空间供给折射率不同的两种以上气体，通过改变气体的混合率来使空间的折射率变化来校正倍率像差(例如专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-210049号公报

专利文献2：日本特开平5-144700号公报。

发明内容

发明所要解决的问题

在改变气体的混合率来校正投影光学系统的光学性能的情况下，在投影光学系统的空间内置换气体并至光学性能稳定为止需要长时间。以往，在光学性能稳定之前，曝光装置停止曝光并待机。因此，曝光装置的停机时间长，生产率下降。

本发明的目的在于提供例如有利于兼顾投影光学系统的光学性能的校正性能与生产率这两者的曝光装置。

用于解决问题的方案

根据本发明的第一方面，提供对基板进行曝光的曝光装置，所述曝光装置特征在于，具有：投影光学系统，其将掩模的图案投影到所述基板；供给部，其将混合气体供给到所述投影光学系统的内部的光学元件间的空间，所述混合气体是将折射率互不相同的多种气体以预先设定的混合率即设定混合比进行混合而得的；以及控制部，其通过控制所述设定混合比来对所述投影光学系统的成像特性进行校正并对所述基板进行曝光，所述控制部获取如下响应特性，该响应特性表示所述供给部以固定的混合比来供给混合气体时的所述成像特性的演变(变化)，所述控制部在将所述设定混合比设定为目标混合比并对所述基板进行曝光时，在所述成像特性转变为稳定状态之前的过渡期间中，所述控制部将所述设定混合比设定为基于所述响应特性来对所述目标混合比进行校正而得的值并对所述基板进行曝光。

根据本发明的第二方面，提供物品制造方法，其特征在于，包括：使用上述第一方面所涉及的曝光装置来对基板进行曝光的工序；以及对被曝光了的所述基板进行显影的工序，其中，从被显影了的所述基板来制造物品。

发明的效果

根据本发明，能够提供例如有利于兼顾投影光学系统的光学性能的校正性能与生产率这两者的曝光装置。

附图说明

图1是示出实施方式中的曝光装置的结构的图。

图2是示出实施方式中的与投影光学系统的光学性能的校正相伴随的曝光处理的流程图。

图3是示出混合气体置换中的像差的响应特性的例子的图。

图4是示出球面像差的变化量相对于混合气体的混合比的变化而言所存在的比例关系的图。

附图标记说明