[发明专利]一种可控的高电源抑制比延迟单元在审
| 申请号： | 202010553801.6 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111884629A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 钟鹏飞;冯光涛 | 申请（专利权）人： | 芯创智（北京）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/14 | 分类号： | H03K5/14 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;杨方 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可控 电源 抑制 延迟 单元 | ||
1.一种可控的高电源抑制比延迟单元，其特征在于，所述高电源抑制比延迟单元包括：偶数个级联的反相器延迟单元，每个反相器延迟单元均连接一个电流源，每个级联的反相器延迟单元的输出端均连接一个寄生电容，第一级反相器延迟单元的输入端连接输入信号，最后一级反相器延迟单元的输出端连接输出信号；每个反相器延迟单元连接的电流源在对应的反相器延迟单元输入为1时开启，为0时关闭。
2.根据权利要求1所述的一种可控的高电源抑制比延迟单元，其特征在于，所述高电源抑制比延迟单元包括：包括：第一反相器延迟单元、第二反相器延迟单元、第一寄生电容、第二寄生电容、第一电流源和第二电流源；
所述第一反相器延迟单元的输入端连接输入信号Vin，所述第一反相器延迟单元的输出端连接所述第一寄生电容和所述第二反相器延迟单元的输入端，所述第二反相器延迟单元的输出端连接所述第二寄生电容和输出信号Vout；所述第一反相器延迟单元连接所述第一电流源，所述第二反相器延迟单元连接所述第二电流源。
3.根据权利要求2所述的一种可控的高电源抑制比延迟单元，其特征在于，若所述输入信号Vin为0，所述第一反相器延迟单元的输出端的中间信号Vb则为1，所述输出信号Vout为0；
当所述输入信号Vin由0变为1时，所述第一电流源开始工作，并对所述第一寄生电容放电，所述中间信号Vb由1逐渐变为0，放电时间为：
其中，T1为放电时间，C1为所述第一寄生电容的电容值，VDD为电源电压，I1为所述第一电流源的电流值。
4.根据权利要求2所述的一种可控的高电源抑制比延迟单元，其特征在于，若所述输入信号Vin为1，所述第一反相器延迟单元的输出端的中间信号Vb则为0，所述输出信号Vout为1；
当所述输入信号Vin由1变为0时，所述第一电流源关闭且所述中间信号Vb变为1，同时所述第二电流源开始工作，并对所述第二寄生电容放电，所述输出信号Vout由1逐渐变为0，放电时间为：
其中，T2为放电时间，C2为所述第二寄生电容的电容值，VDD为电源电压，I2为所述第二电流源的电流值。
5.根据权利要求2所述的一种可控的高电源抑制比延迟单元，其特征在于，若所述第一电流源的电流值和所述第二电流源的电流值相等，且所述第一寄生电容的电容值和所述第二寄生电容的电容值相等，则所述高电源抑制比延迟单元的延迟时间近似为：
其中，T为延迟时间，C为所述第一寄生电容和所述第二寄生电容的电容值，VDD为电源电压，I为所述第一电流源和所述第二电流源的电流值。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种可控的高电源抑制比延迟单元，其特征在于，所述第一电流源和所述第二电流源为不受工艺、温度影响的恒流源。
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