[发明专利]一种显示基板及其制备方法、驱动方法、显示装置在审
申请号: | 202010553328.1 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN111668237A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 刘鹏;徐敬义;刘弘;霍培荣;张永强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 驱动 显示装置 | ||
一种显示基板及其制备方法、驱动方法、显示装置,显示基板包括:基底以及设置在基底上的开关结构,开关结构,分别与控制信号端、信号输入端和信号输出端电连接;开关结构包括:开关单元;开关单元包括:第一晶体管和第二晶体管;第一晶体管和第二晶体管的类型相反;第一晶体管包括:第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极,第二晶体管包括:第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极;第一栅电极和第二栅电极分别与控制信号端电连接,第一源电极和第二源电极分别与信号输入端电连接,第一漏电极和第二漏电极分别与信号输出端电连接;第一有源层在基底上的正投影与第二有源层在基底上的正投影重合。
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制备方法、驱动方法、显示装置。
背景技术
近年来,平板显示器,如薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display,TFT-LCD)和有源矩阵有机发光二极管显示器(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode,AMOLED),由于具有重量轻,厚度薄以及低功耗等优点,因而被广泛应用于电视、手机等电子产品中。
随着显示技术的发展,高频驱动的显示产品成为发展的趋势。但是,显示产品的高频驱动会导致显示产品中每行像素充电时间减少,使得显示产品的充电率降低,影响了显示产品的显示效果。
发明内容
本公开提供了一种显示基板及其制备方法、驱动方法、显示装置,可以提高显示产品的充电率,提升了显示效果。
第一方面,本公开提供了一种显示基板,包括:基底以及设置在所述基底上的开关结构,所述开关结构,分别与控制信号端、信号输入端和信号输出端电连接,设置为在所述控制信号端的控制下,向所述信号输出端提供所述信号输入端的信号;
所述开关结构包括:开关单元;所述开关单元包括:第一晶体管和第二晶体管;所述第一晶体管和所述第二晶体管的类型相反;
所述第一晶体管包括:第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极,所述第二晶体管包括:第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极;
所述第一栅电极和所述第二栅电极分别与所述控制信号端电连接,所述第一源电极和所述第二源电极分别与所述信号输入端电连接,所述第一漏电极和所述第二漏电极分别与所述信号输出端电连接;
所述第一有源层在所述基底上的正投影与所述第二有源层在所述基底上的正投影重合。
在一些可能的实现方式中,所述开关单元的数量为N个;
第一个开关单元的第一源电极与所述信号输入端电连接,第j个开关单元的第一漏电极与第j+1个开关单元的第一源电极电连接,第N个开关单元的第一漏电极与所述信号输出端电连接;
所有开关单元的第一栅电极和第二栅电极分别与所述控制信号端电连接,N≥1,1jN。
在一些可能的实现方式中,所述显示基板还包括:设置在所述基底上的扫描信号线、数据信号线、公共电极和像素电极;
所述扫描信号线与所述控制信号端电连接,设置为向所述控制信号端提供信号;
所述数据信号线与所述信号输入端连接,设置为向所述信号输入端提供信号;
所述信号输出端与所述像素电极连接,设置为向所述像素电极提供信号;
所述公共电极位于所述像素电极靠近所述基底的一侧,设置为与所述像素电极之间形成电场。
在一些可能的实现方式中,所述第一栅电极和所述第二栅电极为同一电极;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的