[发明专利]一种显示基板及其制备方法、驱动方法、显示装置在审
申请号: | 202010553328.1 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN111668237A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 刘鹏;徐敬义;刘弘;霍培荣;张永强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 驱动 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:基底以及设置在所述基底上的开关结构,所述开关结构,分别与控制信号端、信号输入端和信号输出端电连接,设置为在所述控制信号端的控制下,向所述信号输出端提供所述信号输入端的信号;
所述开关结构包括:开关单元;所述开关单元包括:第一晶体管和第二晶体管;所述第一晶体管和所述第二晶体管的类型相反;
所述第一晶体管包括:第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极,所述第二晶体管包括:第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极;
所述第一栅电极和所述第二栅电极分别与所述控制信号端电连接,所述第一源电极和所述第二源电极分别与所述信号输入端电连接,所述第一漏电极和所述第二漏电极分别与所述信号输出端电连接;
所述第一有源层在所述基底上的正投影与所述第二有源层在所述基底上的正投影重合。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述开关单元的数量为N个;
第一个开关单元的第一源电极与所述信号输入端电连接,第j个开关单元的第一漏电极与第j+1个开关单元的第一源电极电连接,第N个开关单元的第一漏电极与所述信号输出端电连接;
所有开关单元的第一栅电极和第二栅电极分别与所述控制信号端电连接,N≥1,1jN。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:设置在所述基底上的扫描信号线、数据信号线、公共电极和像素电极;
所述扫描信号线与所述控制信号端电连接,设置为向所述控制信号端提供信号;
所述数据信号线与所述信号输入端连接,设置为向所述信号输入端提供信号;
所述信号输出端与所述像素电极连接,设置为向所述像素电极提供信号;
所述公共电极位于所述像素电极靠近所述基底的一侧,设置为与所述像素电极之间形成电场。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一栅电极和所述第二栅电极为同一电极;
所述第一有源层位于所述第一栅电极靠近所述基底的一侧;所述第二有源层位于所述第一栅电极远离所述基底的一侧;所述第二有源层与所述第一有源层连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,当第一晶体管为N型晶体管,第二晶体管为P型晶体管时;
所述第一有源层包括:沿垂直于所述第一有源层和所述第二有源层排布方向排布的第一沟道区、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区;
所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相同,且分别位于所述第一沟道区的两侧;
所述第三掺杂区和所述第四掺杂区的掺杂类型相同,所述第三掺杂区位于所述第一掺杂区远离所述第一沟道区的一侧,所述第四掺杂区位于所述第二掺杂区远离所述第一沟道区的一侧;
所述第三掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度;
所述第二有源层包括:沿垂直于所述第一有源层和所述第二有源层排布方向排布的第二沟道区、第五掺杂区和第六掺杂区;
所述第五掺杂区和所述第六掺杂区的掺杂类型相同,且分别位于所述第二沟道区的两侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的