[发明专利]一种金刚石倾斜台面异质结二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种金刚石倾斜台面异质结二极管，其结构为，在低阻p型金刚石单晶衬底(1)的正面依次有p型金刚石过渡层(2)、金刚石漂移层(3)、倾斜台面(4)、凹槽结构(5)、n型氧化镓层(6)、肖特基接触电极(8)，在低阻p型金刚石单晶衬底(1)的背面有欧姆接触电极(7)。

2.根据权利要求1所述的一种金刚石倾斜台面异质结二极管，其特征在于，所述的低阻p型金刚石衬底(1)为单晶金刚石或者多晶金刚石，硼掺杂浓度为10²⁰cm^-3。

3.根据权利要求1所述的一种金刚石倾斜台面异质结二极管，其特征在于，所述的p型金刚石过渡层(2)为单层或者多层硼掺杂金刚石外延层，厚度为10nm～50μm，硼掺杂浓度为10¹⁵～10²⁰cm^-3。

4.根据权利要求1所述的一种金刚石倾斜台面异质结二极管，其特征在于，所述的金刚石漂移层(3)为单层或者多层非故意掺杂金刚石外延层，厚度为10nm～50μm，硼掺杂浓度为10¹²～10¹⁶cm^-3。

5.根据权利要求1所述的一种金刚石倾斜台面异质结二极管，其特征在于，所述的n型氧化镓层(6)，掺杂浓度为10¹²～10¹⁸cm^-3范围间调整。

6.根据权利要求1所述的一种金刚石倾斜台面异质结二极管，其特征在于，所述的欧姆接触电极(7)为Ti/Au合金、Ti/Ni/Au合金或Ti/Mo/Au合金；所述的肖特基接触电极(8)为Al/Au合金、Ti/Au合金或者Zr/Au合金。

7.一种权利要求1所述的金刚石倾斜台面异质结二极管的制备方法，具体包括以下步骤：

S1、在低阻p型金刚石衬底(1)上生长p型金刚石过渡层(2)；

S2、在p型金刚石过渡层上生长非故意掺杂的金刚石漂移层(3)；

S3、在漂移层表面利用光刻胶回流刻蚀形成倾斜台面(4)；

S4、利用氧等离子体刻蚀形成凹槽结构(5)；

S5、在倾斜台面和凹槽结构中沉积形成n型氧化镓层(6)；

S6、在衬底背面形成欧姆接触电极(7)；

S7、在氧化镓及金刚石上沉积栅电极金属材料，形成肖特基接触电极(8)。