[发明专利]一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的BGA芯片封装结构

权利要求书

1.一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的BGA芯片封装结构，其特征在于，包括：裸芯片(100)和封装件(200)，其中，

所述裸芯片(100)包括裸芯片主体(101)，所述裸芯片主体(101)上设置有屏蔽结构(102)以及若干第一引脚(103)，若干所述第一引脚(103)均与所述屏蔽结构(102)连接；

所述封装件(200)包括基板(201)、第一焊盘(202)以及若干第一焊球(203)，所述第一焊盘(202)设置在所述基板(201)上，所述裸芯片主体(101)安装在所述基板(201)上，若干所述第一焊球(203)设置在所述基板(201)的底部，且通过贯通所述基板(201)的若干通孔(204)与所述第一焊盘(202)形成电气连接；

所述第一引脚(103)通过第一键合线(300)与所述第一焊盘(202)连接，所述第一引脚(103)作为所述屏蔽结构(102)的引脚，所述第一焊盘(202)作为屏蔽用焊盘，通过所述第一键合线(300)连接所述第一引脚(103)和所述第一焊盘(202)，在所述裸芯片主体(101)的表面形成了包裹所述裸芯片主体(101)的屏蔽壳；

所述屏蔽结构(102)利用所述裸芯片主体(101)的顶层金属加工制作而成；

所述屏蔽结构(102)的厚度大于或等于需屏蔽电磁波在所述裸芯片主体(101)顶层材料中的趋肤深度；所述屏蔽结构(102)为金属网状结构，所述金属网状结构的网格尺寸小于或等于需屏蔽电磁波波长的1/10，网线宽度小于或等于所述第一引脚(103)的宽度；

相邻所述第一引脚(103)之间的间距小于或等于需屏蔽电磁波波长的1/10；所述第一引脚(103)的键合点与所述第一焊盘(202)的键合点之间的距离小于或等于需屏蔽电磁波波长的1/10。

2.根据权利要求1所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的BGA芯片封装结构，其特征在于，所述裸芯片(100)包括若干第二引脚(104)，所述第二引脚(104)和所述第一引脚(103)间隔设置在所述裸芯片主体(101)上。

3.根据权利要求2所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的BGA芯片封装结构，其特征在于，所述封装件(200)包括第二焊盘(205)以及若干第二焊球(206)，其中，

所述第二焊盘(205)设置在所述基板(201)上，且通过第二键合线(400)与所述第二引脚(104)连接；

若干所述第二焊球(206)设置在所述基板(201)的底部，且与所述第二焊盘(205)形成电气连接。

4.根据权利要求3所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的BGA芯片封装结构，其特征在于，所述封装件(200)还包括封装外壳(207)，所述封装外壳(207)用于对所述裸芯片(100)进行密封保护，所述基板(201)的下表面位于所述封装外壳(207)外部。

5.根据权利要求1所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的BGA芯片封装结构，其特征在于，若干所述第一焊球(203)呈阵列式分布在所述基板(201)的底部，与所述裸芯片主体(101)的安装位置相对应，且若干所述第一焊球(203)在所述基板(201)底部所占面积不超过所述裸芯片主体(101)底面积的1.5倍。

6.根据权利要求1所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的BGA芯片封装结构，其特征在于，所述第一焊球(203)的直径小于或等于需屏蔽电磁波波长的1/10，相邻所述第一焊球(203)之间的间距小于或等于需屏蔽电磁波波长的1/10。