[发明专利]光照射装置、光照射方法和存储介质

说明书

本发明提供一种光照射装置，其包括：收纳基片的处理室；收纳能量射线的射线源的线源室；将处理室与线源室分隔开的分隔壁；多个窗部，其设置在分隔壁，能够使从射线源向处理室内的基片出射的能量射线透射；和多个气体释放部，其分别设置在处理室内的多个窗部的周围，沿多个窗部的表面释放非活性气体。根据本发明，能够有效提高光照射处理的稳定性。

技术领域

本发明涉及光照射装置、光照射方法和存储介质。

背景技术

专利文献1记载了：在半导体器件的制造工艺中，依次进行在基片的表面形成抗蚀剂膜的步骤、进行曝光的步骤、将抗蚀剂图案化的步骤、对抗蚀剂的整个面照射波长200nm以下的光的步骤、进行抗蚀剂膜的下层膜的蚀刻的步骤。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-127037号公报。

发明内容

本发明提供一种能够有效提高光照射处理的稳定性的光照射装置。

本发明的一个方面的光照射装置包括：收纳基片的处理室；收纳能量射线的射线源的线源室；将处理室与线源室分隔开的分隔壁；多个窗部，其设置在分隔壁，能够使从射线源向处理室内的基片出射的能量射线透射；和多个气体释放部，其分别设置在处理室内的多个窗部的周围，沿多个窗部的表面释放非活性气体。

根据本发明，能够提供一种可有效提高光照射处理的稳定性的光照射装置。

附图说明

图1是例示光照射装置的概略构成的示意图。

图2是例示气体释放部的概略构成的示意图。

图3是表示光照射装置的变形例的示意图。

图4是表示气体释放部的变形例的示意图。

图5是表示气体释放部的变形例的平面图。

图6是例示排气引导部的概略构成的示意图。

图7是例示控制器的功能性结构的框图。

图8是例示控制器的硬件构成的框图。

图9是例示光照射工序的流程图。

图10是例示升华物附着于窗部时的影响的图表。

附图标记说明

1：光照射装置，11：处理室，12：线源室，13：分隔壁，15：窗部，15a：窗部15的中心，16：气体流路，30：射线源，70：处理用气体供给部(气体供给部)，82：缓冲空间(第1缓冲空间)，83：隙缝，84：通气孔，85：缓冲空间(第2缓冲空间)，90：排气部。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明实施方式。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。

【光照射装置】

(装置整体构成)

本实施方式的光照射装置1是对形成在基片的表面上的感光性覆膜或者感光性图案照射能量射线的装置。作为基片的具体例，能够列举半导体晶片。作为感光性覆膜的具体例，能够列举抗蚀剂膜。作为感光性图案的具体例，能够列举通过抗蚀剂膜的显影处理形成的抗蚀剂图案。