[发明专利]漂移探测器及其加工方法

说明书

本说明书提供一种漂移探测器及其加工方法，漂移探测器包括：衬底；设置在所述衬底两个表面上，用于使所述衬底形成漂移区的的漂移电极；设置在所述衬底两个表面，并且位于所述漂移电极同侧的集电电极；所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子。本说明书提供的漂移探测器在衬底的两个表面均设置有集电电极，而不再设置用于使得载流子向集电电极垂直移动的反向偏压。因为衬底的两个表面均设置集电集电电极，漂移电子在集电电极的电场作用下向集电电极漂移；因为没有反向偏压的影响，光生电子漂移因电压设置不合理而造成的损失。

技术领域

本说明书涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种漂移探测器及其加工方法。

背景技术

漂移探测器是用于检测高能射线的半导体探测器(一般情况下的漂移探测器均为硅基探测器)。在漂移探测器工作时，其中的漂移电极使得衬底处在完全耗尽状态，高能射线撞击入射窗口形成的多数载流子沿着器件表面的方向漂移至收集电极并被收集起来。

目前，硅漂移探测器的收集电极都是在器件的单面上形成，高能射线产生的载流子在横向漂移电场的作用下漂移至收集电极下方区域后，然后再通过与收集电极正对面的另一PN节施加合适的反向偏压，将载流子推向收集电极。如果在收集电极正对面PN节上施加的反向电压不合适，会造成载流子的损失。

发明内容

本说明书提供一种漂移探测器，用于解决背景技术提交的至少部分问题。

本说明书提供一种漂移探测器，包括：

衬底；

设置在所述衬底两个表面上，用于使所述衬底形成漂移区的的漂移电极；

设置在所述衬底两个表面，并且位于所述漂移电极同侧的集电电极；所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子。

可选地，位于所述衬底两个表面上的所述集电电极短路连接。

可选地，位于所述衬底两个表面的所述集电电极相对于所述衬底对称；

位于所述衬底两个表面上的漂移电极相对于所述衬底也对称。

可选地，所述漂移电极为多个环绕所述集电电极的漂移环。

可选地，还包括设置在所述衬底上，并且位于相邻两个漂移环的高阻分压器；所述高阻分压器与所述衬底的掺杂特性相反；

所述高阻分压器与相邻的两个所述漂移环导电连接。

可选地，所述高阻分压器为设置在所述衬底上的高阻掺杂区。

可选地，各个所述漂移环上均设置有金属电极环。

可选地，所述漂移电极为环绕所述集电电极的螺旋漂移环。

可选地，还包括设置在所述衬底，环绕所述漂移电极外侧的保护区；所述保护区包括掺杂保护环和设置在所述掺杂保护环上的金属电极环。

本说明书提供一种漂移探测器的加工方法，包括在衬底上形成漂移电极的步骤和在衬底上形成集电电极的步骤；

其中，在形成所述集电电极的步骤中，在所述衬底的两个表面均形成所述集电电极。

本说明书提供的漂移探测器在衬底的两个表面均设置有集电电极，而不再设置用于使得载流子向集电电极垂直移动的反向偏压。因为衬底的两个表面均设置集电集电电极，漂移电子在集电电极的电场作用下向集电电极漂移；因为没有反向偏压的影响，光生电子漂移因电压设置不合理而造成的损失。

本发明中，上述各技术方案之间还可以相互组合，以实现更多的优选组合方案。本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分优点可从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过说明书以及附图中所特别指出的内容中来实现和获得。