[发明专利]漂移探测器及其加工方法有效

专利信息
申请号: 202010543831.9 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN111668323B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 姜帅;陶科;贾锐;刘新宇;金智;张立军;王冠鹰;欧阳晓平 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/115;H01L31/18;G01T1/24
代理公司: 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 代理人: 张通
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 漂移 探测器 及其 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种漂移探测器,其特征在于,包括:

衬底;

设置在所述衬底两个表面上,用于使所述衬底形成漂移区的的漂移电极;

设置在所述衬底两个表面,并且位于所述漂移电极同侧的集电电极;所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子;位于所述衬底两个表面上的所述集电电极短路连接。

2.根据权利要求1所述的漂移探测器,其特征在于,

位于所述衬底两个表面的所述集电电极相对于所述衬底对称;

位于所述衬底两个表面上的漂移电极相对于所述衬底也对称。

3.根据权利要求2所述的漂移探测器,其特征在于,

所述漂移电极为多个环绕所述集电电极的漂移环。

4.根据权利要求3所述的漂移探测器,其特征在于,

还包括设置在所述衬底上,并且位于相邻两个漂移环的高阻分压器;所述高阻分压器与所述衬底的掺杂特性相反;

所述高阻分压器与相邻的两个所述漂移环导电连接。

5.根据权利要求4所述的漂移探测器,其特征在于,

所述高阻分压器为设置在所述衬底上的高阻掺杂区。

6.根据权利要求4所述的漂移探测器,其特征在于,

各个所述漂移环上均设置有金属电极环。

7.根据权利要求2所述的漂移探测器,其特征在于,

所述漂移电极为环绕所述集电电极的螺旋漂移环。

8.根据权利要求3所述漂移探测器,其特征在于,

还包括设置在所述衬底,环绕所述漂移电极外侧的保护区;所述保护区包括掺杂保护环和设置在所述掺杂保护环上的金属电极环。

9.一种漂移探测器的加工方法,其特征在于,包括在衬底上形成漂移电极的步骤和在衬底上形成集电电极的步骤;

其中,在形成所述集电电极的步骤中,在所述衬底的两个表面均形成所述集电电极;位于所述衬底两个表面上的所述集电电极短路连接。

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