[发明专利]一种芯片封装体的制备方法

权利要求书

1.一种芯片封装体的制备方法，其特征在于，包括：

提供芯片/晶圆，所述芯片/晶圆具有主动面和与所述主动面相对的背面；

在所述芯片/晶圆的主动面上溅射绝缘层，对所述绝缘层进行蚀刻，在对应信号引出焊盘处的位置开窗，进行电镀形成金属层，对所述金属层进行图形化处理，进行蚀刻得到金属布线，在所述金属布线上形成钝化层，在所述金属布线上形成连接件，所述连接件用于与键合基板键合；

将所述芯片/晶圆与临时基板键合；

在所述芯片/晶圆的背面上形成散热槽，所述散热槽为多个，多个所述散热槽相连通，所述散热槽非均匀排布，线路多的位置所设置的所述散热槽的数量多于线路少的位置所设置的所述散热槽的数量，所述散热槽为环形凹槽，散热结构还包括与所述散热槽相连通的多个散热孔，所述散热孔沿与所述芯片表面相平行的方向延伸至所述芯片的边缘，所述散热槽内填充有导热材料，所述散热孔内不填充导热材料；

剥离所述临时基板，制得带有散热槽的芯片封装体。

2.根据权利要求1所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，所述将芯片/晶圆与临时基板键合包括：

在所述临时基板上形成一层粘合胶；

利用所述粘合胶键合所述芯片/晶圆与所述临时基板。

3.根据权利要求1所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，所述在芯片/晶圆的背面形成散热槽包括：

利用蚀刻工艺对所述芯片/晶圆的背面进行刻蚀，形成所述散热槽。

4.根据权利要求1所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，所述在芯片/晶圆的背面形成散热槽之前还包括：

对所述芯片/晶圆的衬底进行减薄处理，将所述芯片/晶圆的衬底减薄至200~300 mm。

5.根据权利要求1所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，所述剥离临时基板，制得带有散热槽的芯片封装体包括：

将带有散热槽的芯片与封装基板键合，形成带有散热槽的芯片封装体。

6.根据权利要求1所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，所述剥离临时基板，制得带有散热槽的芯片封装体之后还包括：

向所述散热槽中填充导热材料。

7.根据权利要求6所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，

所述导热材料为导热硅脂。

8.根据权利要求6所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，所述向散热槽中填充导热材料之后还包括：

在所述带有散热槽的芯片封装体的背面贴装散热器。

9.根据权利要求1所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，

所述临时基板为硅基基板、玻璃基板、金属基板、有机基板中的任一种。

10.根据权利要求1所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，

所述散热槽的深度为40~60 mm，所述散热槽的宽度为20~40 mm，相邻两所述散热槽的间距为200~500 mm。