[发明专利]半导体器件的制备方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010535596.0 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN113013101A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8249;H01L21/265;H01L21/266;H01L27/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
本发明提供一种半导体器件的制备方法和半导体器件，制备方法包括以下步骤：提供一衬底；衬底上形成栅极；使用栅极作为阻挡层并以垂直方向为基准进行第一预设角度的硼离子注入，以在栅极的底部形成沟道；使用栅极作为阻挡层并以垂直方向为基准进行第二预设角度的磷离子注入以形成Halo‑implant区域，Halo‑implant区域与栅极相邻；Halo‑implant区域内进行NPS注入，以形成接触区域的欧姆接触，接触区域为NPS注入区域与Halo‑implant区域的接触区域，NPS注入区域至栅极之间形成硅化金属阻挡区。本发明制作出的DENMOS可以代替CMOS，同时降低了导通电阻，提高了驱动门限。
技术领域
本发明属于半导体制作技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制备方法和半导体器件。
背景技术
在目前的BCD(双极性CMOS-DMOS)工艺中，与CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺的兼容是一个平衡的过程。
标准180nm(纳米)工艺中，标准BCD工艺和标准CMOS工艺中栅氧的指标对比如下表：
I/O栅氧指标 标准CMOS工艺 标准BCD工艺 Vgs(V) 3.3 5 Vds(V) 3.3 5 厚度(A) 65 120～135
Vgs为栅源电压，Vds为漏源电压，电压单位为V(伏特)，厚度单位为A(埃)。
通常情况下，Vgs越大，导通电阻越小，导通电流越大，寄生电容越小；反之亦然。因此，与标准BCD工艺相比，标准CMOS工艺的Vgs小，导通电阻大，导通电流小，寄生电容大。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中存在的CMOS的导通电阻大，导通电流小，寄生电容大，电气性能比DENMOS差的缺陷，提供一种半导体器件的制备方法和半导体器件。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：
提供一衬底；
所述衬底上形成栅极；
使用所述栅极作为阻挡层并以垂直方向为基准进行第一预设角度的硼离子注入，以在所述栅极的底部形成沟道；
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
