[发明专利]半导体器件的制备方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202010535596.0 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN113013101A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 林威 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8249;H01L21/265;H01L21/266;H01L27/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底；
所述衬底上形成栅极；
使用所述栅极作为阻挡层并以垂直方向为基准进行第一预设角度的硼离子注入，以在所述栅极的底部形成沟道；
使用所述栅极作为阻挡层并以垂直方向为基准进行第二预设角度的磷离子注入以形成Halo-implant区域，所述Halo-implant区域与所述栅极相邻；
所述Halo-implant区域内进行NPS注入，以形成接触区域的欧姆接触，所述接触区域为NPS注入区域与所述Halo-implant区域的接触区域，所述NPS注入区域至所述栅极之间形成硅化金属阻挡区。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述衬底进行浅沟槽隔离，以在所述衬底的两侧形成梯形沟槽；
注入离子，以在所述衬底上形成HVDNW阱；
注入离子，以在所述HVDNW阱上形成IOPW阱。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述使用所述栅极作为阻挡层并以垂直方向为基准进行第一预设角度的硼离子注入，以在所述栅极的底部形成沟道的步骤中，所述第一预设角度的设定范围为30度～40度，所述硼离子的浓度范围为5e13/cm3～1e14/cm3。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述使用所述栅极作为阻挡层并以垂直方向为基准进行第二预设角度的磷离子注入以形成Halo-implant区域的步骤中，所述第二预设角度的设定范围为6度～8度。
5.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述离子注入，以在所述衬底上形成HVDNW阱的步骤中，以不低于500Kev的条件进行离子注入；和/或，
在所述注入离子，以在所述HVDNW阱上形成IOPW阱的步骤中，以不低于500Kev的条件进行离子注入。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法应用于BCD工艺。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述BCD工艺包括180nm、130nm、65nm、40nm工艺中的任意一种或多种。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件为DENMOS。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述衬底为P型衬底；和/或，
所述DENMOS的工作电压范围为4V～6V。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过如权利要求1～9中任意一项所述的半导体器件的制备方法制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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