[发明专利]一种改善金属剥离效率的光刻版及其方法

说明书

本发明公开了一种改善金属剥离效率的光刻版，包括：基版、梯形台结构和铬层，基于一种改善金属剥离效率的光刻版提出了一种光刻方法，在基片表面均匀涂覆一层负性光刻胶，对涂胶后的基片进行一次烘烤，将光刻版通过压力压入涂有负性光刻胶的基片，同时进行抽真空处理，确保光刻胶与光刻版上的梯形台结构完全紧密接触，随后利用紫外曝光对基片进行曝光并形成带有与梯形台结构角度相同的倒角光刻胶结构，随后进行二次烘烤，对烘烤后的基片进行沉积和剥离，通过剥离基片上的负性光刻胶，保留所需要的金属图形，通过一次光刻对倒角光刻胶结构的角度和深度进行控制，提高金属剥离效率。

技术领域

本发明涉及光刻工艺领域，具体是一种改善金属剥离效率的光刻版及其方法。

背景技术

金属剥离工艺在基片表面采用光刻工艺得到金属图形，用光刻胶覆盖保护不需要金属覆盖的地方，进行金属沉积，沉积结束后将基片浸入去胶液中将光刻胶溶解，同时剥离光刻胶上的金属。现有技术一般采用粘度较大负胶或两层光刻胶的工艺进行金属剥离，负胶工艺由于粘度较大，所以厚度较大，且负胶的特性为曝光区域的光刻胶会溶解在显影液中，导致显影角度无法控制，均匀性较差，剥离时存在无法剥离的问题，两层光刻胶一般采用正胶和负胶相结合的方法，上层为正胶，下层为负胶，通过曝光，上层正胶变得容易溶解于显影液，显影液溶解掉上层胶后接触到下层负胶并将其溶解，通过控制时间可以形成一定的钻蚀，即为倒角，但其一致性同样较差，不能较好的控制钻蚀的量，不适用大批量生产。

中国专利CN107331601 A“两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法”，该方法主要利用两层正性光刻胶，其中第一层光刻胶厚度需要大于金属图形的厚度，第二层正性光刻胶的曝光窗口小于第一层的曝光窗口，此时浸入显影液后会形成类似钻蚀的结构，且其钻蚀深度可以得到精确控制，但该发明的不足之处在于需要进行两次甩胶和两次曝光，不适用于大批量生产，且第二次曝光时套刻精度因为没有对版标记而无法进行有效控制，导致其左右的钻蚀深度不一致。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善金属剥离效率的光刻版及其方法，以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种改善金属剥离效率的光刻版，其特征在于包括：基版、梯形台结构和铬层；

所述基版带有梯形台结构，所述梯形台结构底部为不透光区域，所述不透光区域镀有不透光铬层。

铬层使得铬层下面的负性光刻胶不被曝光，所述负性光刻胶无法固化，容易溶解到有机溶剂中，顺利实现金属层的剥离。

进一步地，梯形台结构靠近基版一端与基版的夹角范围介于40°到60°之间。

进一步地，所述铬层的厚度小于2mm。

一种改善金属剥离效率的光刻版的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)准备光刻版；

2)涂覆光刻胶；

3)一次烘烤；

4)曝光；

5)抽真空处理；

6)紫外曝光；

7)二次烘烤；

8)金属沉积和金属剥离。

进一步地，包括以下步骤：

1)准备光刻版；

2)涂覆光刻胶：在基片上涂覆一层负性光刻胶，所述负性光刻胶的厚度大于需要沉积的金属厚度；

3)一次烘烤：对步骤2)中涂有负性光刻胶的基片进行一次烘烤；

4)曝光：使用光刻版对所述步骤3)中一次烘烤后的基片进行曝光；