[发明专利]一种改善金属剥离效率的光刻版及其方法

权利要求书

1.一种改善金属剥离效率的光刻版，其特征在于包括：基版、梯形台结构和铬层；

所述基版带有梯形台结构，所述梯形台结构底部为不透光区域，所述不透光区域镀有不透光铬层。

2.根据权利要求1所述的一种改善金属剥离效率的光刻版，其特征在于，梯形台结构靠近基版一端与基版的夹角范围介于40°到60°之间。

3.根据权利要求1所述的一种改善金属剥离效率的光刻版，其特征在于：所述铬层的厚度小于2mm。

4.一种改善金属剥离效率的光刻版的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)准备光刻版；

2)涂覆光刻胶；

3)一次烘烤；

4)曝光；

5)抽真空处理；

6)紫外曝光；

7)二次烘烤；

8)金属沉积和金属剥离。

5.根据权利要求4所述的一种改善金属剥离效率的光刻版的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)准备光刻版；

2)涂覆光刻胶：在基片上涂覆一层负性光刻胶，所述负性光刻胶的厚度大于需要沉积的金属厚度；

3)一次烘烤：对步骤2)中涂有负性光刻胶的基片进行一次烘烤；

4)曝光：使用光刻版对所述步骤3)中一次烘烤后的基片进行曝光；

5)抽真空处理：对基片和光刻版之间区域进行抽真空处理，确保所述梯形台结构全部嵌入负性光刻胶内；

6)紫外曝光：利用紫外曝光在光刻胶区域内显影，形成带有与梯形台结构角度相同的倒角光刻胶结构；

7)二次烘烤：将步骤6)中曝光后的光刻版和基片同时进行二次烘烤，并取下烘烤后的光刻版，对基片进行显影；

8)金属沉积和金属剥离：将步骤7)中显影的基片沉积形成金属层，将基片浸入丙酮溶液，剥离掉基片上的负性光刻胶，保留所需要的金属图形。

6.根据权利要求5所述的一种改善金属剥离效率的光刻版的光刻方法，其特征在于，所述步骤3)中，一次烘烤温度在60℃-70℃之间，烘烤时间在3min-4min之间。

7.根据权利要求5所述的一种改善金属剥离效率的光刻版的光刻方法，其特征在于，所述步骤4)和5)中，使用光刻版对涂覆有负性光刻胶的基片进行曝光，光刻版对光刻胶进行50psi-100psi的施压，将光刻版压入光刻胶区域，同时对基片和光刻版之间区域进行抽真空处理。

8.根据权利要求5所述的一种改善金属剥离效率的光刻版的光刻方法，其特征在于，所述步骤6)中，对光刻胶区域进行3min-4min的紫外曝光，形成带有与梯形结构角度相同的倒角光刻胶结构。

9.根据权利要求5所述的一种改善金属剥离效率的光刻版的光刻方法，其特征在于，所述步骤7)中，将完成紫外曝光的基片与光刻版同时进行二次烘烤，二次烘烤的温度介于80℃-90℃之间。

10.根据权利要求5所述的一种改善金属剥离效率的光刻版的光刻方法，其特征在于，在基片上沉积形成金属层，将基片浸入丙酮溶液中，采用超声震荡的方式剥离掉负性光刻胶上的金属层，保留曝光光刻胶区域内的所需要的金属图形。