[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法

说明书

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过在外延叠层表面设置电流阻挡层、电流传导复合层、ITO层及扩展电极；基于该技术方案，分别通过扩展电极作为与第一电极接触的反射电极、电流传导复合层作为通过ITO层与第二电极接触的反射电极层，使ITO层引入的电流经电流传导复合层后并通过电流阻挡层的阻挡使其在所述台面进一步横向传导，从而降低LED芯片的驱动电压；同时，通过电流传导复合层中的Al反射层再次配合DBR反射层，可进一步地提高电流传导复合层下方的反射率，提升芯片亮度。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种倒装LED芯片及其制备方法。

背景技术

随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用也越来越广泛。目前，为了实现倒装LED芯片中光出射面的转变，通常通过ITO层+DBR的结构，在此方案的基础上需要通过类似正装芯片设计叉指图形进行辅助电流传导，其方案的结构示意图如图1所示：其主要特点是通过扩展电极作为反射电极，并利用电流阻挡层使扩展电极引入的电流通过ITO层实现其在P型层中的横向传导，再结合DBR作为光反射层，从而实现光出射面的转变。但是，当扩展电极为反射电极设计时，由于扩展电极需要与ITO层形成低电阻接触且两者具有良好的粘附性，因此扩展电极的底层一般为薄Cr加上反射金属Al的层叠结构设计。这种反射电极的反射率在60％左右，导致倒装LED芯片的整体反射率偏低。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种倒装LED芯片及其制备方法，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种倒装LED芯片及其制备方法，以实现降低LED芯片驱动电压并提升芯片光效。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种倒装LED芯片，包括：

衬底；

设置于所述衬底表面的发光结构，所述发光结构包括外延叠层、电流阻挡层、电流传导复合层、ITO层及扩展电极；所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成若干个凹槽及一台面；所述所述电流阻挡层，其层叠于所述台面的部分表面；所述电流传导复合层，其层叠于所述电流阻挡层背离所述台面的一侧表面，且所述电流传导复合层包括沿所述第一方向依次堆叠的Al反射层和第二金属叠层；所述ITO层，其层叠于所述台面的裸露面并覆盖所述电流传导复合层；所述扩展电极，其具有若干个子扩展电极，各所述子扩展电极形成于各所述凹槽内且电连接于所述第一型半导体层；第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

DBR反射层，其覆盖于所述发光结构背离所述衬底的一侧裸露表面，且具有至少一第一通孔和至少一第二通孔；各所述第一通孔分别裸露各所述子扩展电极的部分表面；各所述第二通孔设置于所述电流传导复合层对应的上方，且裸露所述ITO层的部分表面；

第一电极，以被保持在所述第一通孔的方式层叠于所述DBR反射层，且与所述扩展电极电连接；

第二电极，以被保持在所述第二通孔的方式层叠于所述DBR反射层，且与所述ITO层电连接；所述第二电极远离所述第一电极设置。

优选地，所述第二金属叠层包括粘附性较好的金属叠层。

优选地，所述第二金属叠层包括Au、Pt、Ti、Ni及Cr中的一种或多种金属叠层。

优选地，所述电流阻挡层与所述电流传导复合层在所述衬底表面的投影重合。

优选地，所述电流阻挡层包括SiO₂、Al₂O₃、MgF、HfO₂及Si₃N₄中的一种或多种叠层。