[发明专利]一种倒装LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底表面的发光结构，所述发光结构包括外延叠层、电流阻挡层、电流传导复合层、ITO层及扩展电极；所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成若干个凹槽及一台面；所述电流阻挡层，其层叠于所述台面的部分表面；所述电流传导复合层，其层叠于所述电流阻挡层背离所述台面的一侧表面，且所述电流传导复合层包括沿所述第一方向依次堆叠的Al反射层和第二金属叠层；所述ITO层，其层叠于所述台面的裸露面并覆盖所述电流传导复合层；所述扩展电极，其具有若干个子扩展电极，各所述子扩展电极形成于各所述凹槽内且电连接于所述第一型半导体层；第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

DBR反射层，其覆盖于所述发光结构背离所述衬底的一侧裸露表面，且具有至少一第一通孔和至少一第二通孔；各所述第一通孔分别裸露各所述子扩展电极的部分表面；各所述第二通孔设置于所述电流传导复合层对应的上方，且裸露所述ITO层的部分表面；

第一电极，以被保持在所述第一通孔的方式层叠于所述DBR反射层，且与所述扩展电极电连接；

第二电极，以被保持在所述第二通孔的方式层叠于所述DBR反射层，且与所述ITO层电连接；所述第二电极远离所述第一电极设置。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第二金属叠层包括粘附性较好的金属叠层。

3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第二金属叠层包括Au、Pt、Ti、Ni及Cr中的一种或多种金属叠层。

4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层与所述电流传导复合层在所述衬底表面的投影重合。

5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层包括SiO₂、Al₂O₃、MgF、HfO₂及Si₃N₄中的一种或多种叠层。

6.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延叠层具有至少一衬底裸露部，其自所述第二型半导体层经所述有源区和所述第一型半导体层延伸至所述衬底，其中所述DBR反射层以被保持在所述衬底裸露部的方式层叠于所述衬底。

7.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述衬底裸露部环绕所述外延叠层的四周；所述DBR反射层以被保持在所述衬底裸露部的方式层叠于所述衬底，并环绕所述外延叠层的四周。

8.根据权利要求1至7任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述扩展电极包括Cr、Ni、Al、Ti、Pt、Au、Pd及Ag中的一种或多种金属叠层。