[发明专利]一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法

说明书

本发明提供了一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，包括如下步骤：设定预设真空度，在预设真空度下将待涂胶晶圆吸附在承片台上，并控制承片台以第一转速旋转，并通过胶嘴对晶圆中心进行打胶；打胶结束后，承片台以第二转速旋转进行打胶回流，第二转速小于第一转速；承片台先以第三转速旋转，再以第四转速旋转，第三转速小于第四转速，对晶圆进行变速甩胶；控制承片台以第五转速甩胶，完成光刻胶甩胶；再控制承片台以第六转速旋转使光刻胶在晶圆表面成膜，第五转速小于第六转速；承片台以第七转速旋转，并通过清洗喷嘴对晶圆从第一位置到第二位置扫描配合进行切边处理，可提高晶圆表面光刻胶的均匀性，避免光刻胶堆积及液体反溅。

技术领域

本发明涉及半导体光刻技术领域，尤其涉及一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法。

背景技术

随着电子产品发展越来越趋向于多功能集成化和小型化，对便携的要求越来越高。这就要求电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，这需要不断地降低芯片封装的厚度，以存储器为例，其封装形式主要为叠层封装，随着存储容量的不断增大，封装的层数目前已达到96层以上，为满足IC先进封装要求，在封装整体厚度不变甚至减小的趋势下，堆叠中各层芯片的厚度就不可避免地需要减薄。

一般来说，较为先进的多层封装所用的芯片厚度都在100μm以下甚至30 μm 以下。因此以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆作为微电子工艺当前新兴前沿工艺受到越来越广泛的关注，因taiko环的特殊衬底结构，其晶圆中心处经过减薄处理，导致表面不平且有太极环印记，膜厚均匀性难控制，涂胶工艺技术难度较大。

例如申请号为“201410235641.5”，专利名称为“一种晶圆涂胶机和涂胶方法”的发明专利，其公开了“一种晶圆涂胶机，能够对不同尺寸的晶圆进行涂胶，该晶圆涂胶机至少具有一个工艺腔体，在工艺腔体的顶部设置有腔体清洁喷嘴，能够在不打开机器的情况下对晶圆涂胶机进行自动清洁，大幅度节约了机台清洁所消耗的时间成本和人力成本。本发明还提供了适用于该晶圆涂胶机的涂胶方法，具有良好的涂胶效果”。

但是上述方法和现有晶圆涂胶工艺配方中的甩胶步骤一般为传统低转速-高转速简单结构，这种配方涂覆具有特殊衬底的taiko环时极易使晶圆表面光刻胶涂布不均匀，膜厚稳定性难以控制，且taiko环与平面交界处容易造成光刻胶堆积及造成液体反溅，后续难去除。

因此，有必要提供一种新型的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法以解决现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，提高晶圆表面光刻胶的均匀性，避免光刻胶堆积及液体反溅，可有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本发明的所述一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，包括如下步骤：

S1、设定预设真空度，在预设真空度下将待涂胶晶圆吸附在承片台上，并控制所述承片台以第一转速旋转，并通过胶嘴对所述晶圆中心进行打胶；

S2、打胶结束后，所述承片台以第二转速旋转进行打胶回流，所述第二转速小于所述第一转速；

S3、所述承片台先以第三转速旋转，再以第四转速旋转，对所述晶圆进行变速甩胶，所述第三转速小于所述第四转速；

S4、控制所述承片台以第五转速甩胶，完成光刻胶甩胶；

S5、再控制所述承片台以第六转速旋转使光刻胶在所述晶圆表面成膜，所述第六转速大于所述第五转速，在第六转速的高速旋转下，光刻胶在晶圆表面成膜；

S6、所述承片台以第七转速旋转，并通过清洗喷嘴对所述晶圆从第一位置到第二位置扫描配合进行切边处理，完成涂胶处理。