[发明专利]一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法

权利要求书

1.一种以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、设定预设真空度，在所述预设真空度下将待涂胶晶圆吸附在承片台上，并控制所述承片台以第一转速旋转，并通过胶嘴对所述晶圆中心进行打胶；

S2、打胶结束后，所述承片台以第二转速旋转进行打胶回流，所述第二转速小于所述第一转速；

S3、所述承片台先以第三转速旋转，再以第四转速旋转，对所述晶圆进行变速甩胶，所述第三转速小于所述第四转速；

S4、控制所述承片台以第五转速甩胶，完成光刻胶甩胶；

S5、控制所述承片台以第六转速旋转使光刻胶在所述晶圆表面成膜，所述第六转速大于所述第五转速；

S6、所述承片台以第七转速旋转，并通过清洗喷嘴对所述晶圆从第一位置到第二位置扫描配合进行切边处理，完成涂胶处理；

其中，所述第三转速小于所述第四转速，所述第四转速大于所述第五转速，所述第一位置与所述晶圆的边缘的距离为1-3mm，所述第二位置与所述晶圆的边缘的距离为3-8mm。

2.根据权利要求1所述的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，所述预设真空度为10-50 KPa。

3.根据权利要求1所述的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，所述胶嘴在打胶的过程中，所述晶圆的涂胶腔体内的排风量为10-100m/s。

4.根据权利要求1所述的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，所述第一转速为500-2000 r/s，所述承片台以所述第一转速旋转的时间为10-50s。

5.根据权利要求1所述的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，所述第二转速为10-200 r/s，所述承片台以所述第二转速旋转的时间为1-20s。

6.根据权利要求1所述的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，所述第三转速为50-200 r/s，所述承片台以所述第三转速旋转的时间为10-30s。

7.根据权利要求1所述的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，所述第四转速为1000-2000 r/s，所述承片台以所述第四转速旋转的时间为1-5s。

8.根据权利要求1所述的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，所述第五转速为100-200 r/s，所述承片台以所述第五转速旋转的时间为1-5s。

9.根据权利要求1所述的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，所述第六转速为1000-2500r/s，所述承片台以所述第六转速旋转的时间为10-100s。

10.根据权利要求1所述的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，所述第七转速为100-200r/s，所述承片台以所述第七转速旋转的时间为10-50s。

11.根据权利要求1至10任一所述的以taiko环结构为衬底的超薄型晶圆的涂胶方法，其特征在于，所述光刻胶的黏度值为1-100cP 。