[发明专利]集成电路电源过冲保护电路及保护方法

权利要求书

1.一种集成电路电源过冲保护电路，其特征在于，所述电源过冲保护电路包括：电源过冲检测模块、状态锁存器、唤醒延迟单元及保护开关；

所述电源过冲检测模块的输出端连接状态锁存器的输入端；所述唤醒延迟单元的输入端连接状态锁存器的输出端，所述唤醒延迟单元的输出端连接状态锁存器的输入端；所述保护开关的输入端连接状态锁存器的输出端；

所述电源过冲检测模块用以检测电源上是否有突然升高的电压，即电源过冲；

所述状态锁存器用以存储设定状态信息，所述状态信息为正常状态或报警状态；

所述保护开关，用以接收所述状态锁存器的状态信息，在所述状态锁存器存储的状态信息为正常状态时，保护开关处于导通状态；在所述状态锁存器存储的状态信息为报警状态时，保护开关处于断开状态；

所述唤醒延迟单元，用以在所述状态锁存器存储的状态信息为报警状态时，开始计时，当达到设定的延迟时间后，再次判断电源过冲是否消退；若仍有电源过冲存在，则重新开始计时，直到电源过冲消退；

所述电源过冲检测模块包括第一电容、第一电阻；所述第一电容的第一端连接芯片供电端，第一电容的第二端连接第一电阻的第一端，第一电阻的第二端连接芯片接地端；

所述状态锁存器包括第一或非门、第二或非门；所述第一或非门的第一输入端连接第一电容的第二端，第二或非门的输出端连接第一或非门的第二输入端，第一或非门的输出端连接第二或非门的第一输入端，第二或非门的第二输入端连接唤醒延迟单元；

所述唤醒延迟单元包括第一MOS管、第二MOS管、第二电容、第二电阻；

所述第一或非门的输出端连接第一MOS管的基极、第二MOS管的基极，第一MOS管的发射极连接芯片供电端，第一MOS管的集电极连接第二电阻的第一端；

所述第二MOS管的集电极连接第二或非门的第二输入端、第二电容的第一端，第二MOS管的发射极连接芯片接地端，第二电容的第二端连接芯片接地端。

2.根据权利要求1所述的集成电路电源过冲保护电路，其特征在于：

所述保护开关包括反相器、第三MOS管、第四MOS管；

所述第一或非门的输出端连接反相器的输入端，反相器的输出端分别连接第三MOS管的基极、第四MOS管的基极；第三MOS管的发射极连接芯片供电端，第四MOS管的发射极连接芯片接地端；第三MOS管的集电极、第四MOS管的集电极分别连接受保护的内部电源端。

3.根据权利要求2所述的集成电路电源过冲保护电路，其特征在于：

所述第一MOS管及第三MOS管为PMOS管；所述第二MOS管及第四MOS管为NMOS管。

4.一种权利要求1至3任一所述集成电路电源过冲保护电路的集成电路电源过冲保护方法，其特征在于，所述保护方法包括：

检测电源上是否有突然升高的电压，即电源过冲；若检测电源的状态正常，则状态锁存器将电源状态设定为正常状态；若检测到电源过冲，则状态锁存器将电源状态设定为报警状态；

在所述状态锁存器存储的状态信息为正常状态时，控制保护开关处于导通状态；

在所述状态锁存器存储的状态信息为报警状态时，控制保护开关处于断开状态，同时唤醒延迟单元开始计时，当达到设定的延迟时间后，再次判断电源过冲是否消退；若仍有电源过冲存在，则重新开始计时，直到电源过冲消退；电源过程消退后，控制保护开关为导通状态。