[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子设备在审
| 申请号： | 202010526233.0 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113782595A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 郭炳容;叶甜春;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子设备 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底以及形成在衬底上的沟槽，沿所述沟槽的深度方向，所述沟槽的宽度单位变化量小于或等于预设阈值。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽为金属辅助化学蚀刻的沟槽。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为埋沟式半导体器件。
4.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成沟槽，沿所述沟槽的深度方向，所述沟槽的宽度单位变化量小于或等于预设阈值。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成沟槽，包括：
采用可控的刻蚀方式在所述衬底上形成所述沟槽。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述可控的刻蚀方式包括金属辅助化学蚀刻方式。
7.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述采用可控的刻蚀方式在所述衬底上形成所述沟槽，包括：
在所述衬底的表面形成具有催化活性的金属掩膜层；
在所述金属掩膜层的掩膜和催化下，采用湿法刻蚀方式在所述衬底上形成所述沟槽。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述金属掩膜层的掩膜下，采用湿法刻蚀方式在所述衬底上形成所述沟槽后，所述半导体器件的制作方法还包括：
去除所述金属掩膜层。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述去除所述金属掩膜层包括：
采用湿法刻蚀或干法刻蚀去除所述金属掩膜层。
10.根据权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，具有催化活性的金属掩膜层是金、银、铂、氮化钛、铜中的任意一种。
11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1～3任一项所述的半导体器件。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备是终端设备或通信设备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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