[发明专利]半导体存储装置及预充电方法

权利要求书

1.一种预充电方法，是与非型快闪存储器的位线的预充电方法，所述预充电方法是：

在第一时机，通过第一控制信号来使用于对读出节点施加预充电用电压的第一晶体管导通，

在第二时机，通过第二控制信号来使连接于所述读出节点且用于生成钳位电压的第二晶体管导通，且通过第三控制信号来使连接在第二晶体管与位线侧的节点之间的第三晶体管导通，

在第三时机，通过第四控制信号来使连接在所述节点与位线之间的第四晶体管导通。

2.根据权利要求1所述的预充电方法，其中

预充电方法进而在所述第一时机，使连接于第一晶体管的电压供给节点从接地电平迁移至供给电压电平。

3.根据权利要求1所述的预充电方法，其中

预充电方法还包括下述步骤：

在所述第三时机后的第四时机，将供给电压电平的驱动能力由低驱动能力切换为高驱动能力。

4.根据权利要求2所述的预充电方法，其中

预充电方法还包括下述步骤：

在所述第三时机后的第四时机，将所述供给电压电平的驱动能力由低驱动能力切换为高驱动能力。

5.根据权利要求1或2所述的预充电方法，其中

在所述第一时机，通过第五控制信号来将连接在位线与假想电源之间的第五晶体管设为非导通。

6.根据权利要求1或2所述的预充电方法，其中

在所述第一时机，将与非串的位线侧晶体管设为导通。

7.根据权利要求1所述的预充电方法，其中

所述第一控制信号至所述第四控制信号在使第一晶体管至第四晶体管导通时被驱动为H电平。

8.一种半导体存储装置，包括：

与非型的存储单元阵列；

页面缓冲器/读出电路，连接于存储单元阵列；

位线选择电路，连接于所述页面缓冲器/读出电路；以及

读出部件，读出存储单元阵列的选择页面，

所述页面缓冲器/读出电路包含电压供给节点、连接在所述电压供给节点与读出节点之间的第一晶体管、连接于所述读出节点且生成钳位电压的第二晶体管、以及连接在第二晶体管与所述位线选择电路的节点之间的第三晶体管，

所述位线选择电路包含连接在所述节点与位线之间的第四晶体管，

所述读出部件在第一时机，经由第一控制信号来使第一晶体管导通，

在第二时机，经由第二控制信号及第三控制信号来使第二晶体管及第三晶体管导通，

在第三时机，经由第四控制信号来使第四晶体管导通。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述读出部件在所述第一时机，使所述电压供给节点从接地电平迁移至供给电压电平。

10.根据权利要求8或9所述的半导体存储装置，其中

所述读出部件在所述第三时机后的第四时机，将所述供给电压电平的驱动能力由低驱动能力切换为高驱动能力。

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述位线选择电路包含连接在偶数位线与假想电源之间的第五晶体管、以及连接在奇数位线与假想电源之间的第六晶体管，

所述读出部件在所述第一时机，经由第五控制信号或第六控制信号来将第五或第六晶体管设为非导通，以阻断选择位线与假想电源之间的连接。

12.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中

所述读出部件在所述第一时机，经由选择栅极线来将与非串的位线侧晶体管设为导通。