[发明专利]一种DRAM接口类型探测方法及存储介质

说明书

一种DRAM接口类型探测方法及存储介质，其中方法包括如下步骤，调整DRAM接口读指令延迟自8起依次增大2、DRAM接口写指令延迟自4起依次增大1；若存在某次增大后DRAM颗粒访问成功，则判断为LPDDR3颗粒，否则判断为LPDDR2颗粒。我们发现在实际应用中读指令延迟、写指令延迟与不同DRAM类型工作响应之间的关系，从而将其应用在接口类型探测中，通过上述方案，能够有效识别DRAM的接口类型。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种能够减少纠错码占用的动态存储方式。

背景技术

现有技术方案针对不同DRAM接口颗粒，需要单独的固件，若无法分辨DRAM接口颗粒的类型，就会影响软硬件的配合使用。通常通过读取MR8来区分颗粒信息但是当芯片不支持使用MR8读取时，那么此时无法区分LPDD2与LPDD3。需要设计一套DRAM接口类型的判断流程来解决上述问题。

发明内容

为此，需要提供一种新的DRAM接口类型判断的方法，解决DRAM接口类型的区分问题；

为实现上述目的，发明人提供了一种DRAM接口类型探测方法，包括如下步骤，调整DRAM接口读指令延迟自8起依次增大2、DRAM接口写指令延迟自4起依次增大1；若存在某次增大后DRAM颗粒访问成功，则判断为LPDDR3颗粒，否则判断为LPDDR2颗粒。

具体地，所述接口读指令延迟上限为16，所述接口写指令延迟上限为8。

进一步地，还包括步骤，向DRAM发起MRR请求，针对收到的MRR请求的回复数据，判定DRAM是LPDDR2颗粒或LPDDR3颗粒；当MRR请求的回复数据无法识别时，才进行步骤：调整DRAM接口读指令延迟自8起依次增大2、DRAM接口写指令延迟自4起依次增大1。

一种DRAM接口类型探测存储介质，存储有计算机程序，所述计算机程序在被运行时执行包括如下步骤，调整DRAM接口读指令延迟自8起依次增大2、DRAM接口写指令延迟自4起依次增大1；若存在某次增大后DRAM颗粒访问成功，则判断为LPDDR3颗粒，否则判断为LPDDR2颗粒。

具体地，所述接口读指令延迟上限为16，所述接口写指令延迟上限为8。

进一步地，所述计算机程序在被运行时还执行包括步骤，向DRAM发起MRR请求，针对收到的MRR请求的回复数据，判定DRAM是LPDDR2颗粒或LPDDR3颗粒；当MRR请求的回复数据无法识别时，才进行步骤：调整DRAM接口读指令延迟自8起依次增大2、DRAM接口写指令延迟自4起依次增大1。

我们发现在实际应用中读指令延迟、写指令延迟与不同DRAM类型工作响应之间的关系，从而将其应用在接口类型探测中，通过上述方案，能够有效识别DRAM的接口类型。

附图说明

图1为本发明一实施方式所述的DRAM接口类型探测方法流程图。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

这里请看图1，为本方案的一种DRAM接口类型探测方法，包括如下步骤，S104调整DRAM接口读指令延迟自8起依次增大2、DRAM接口写指令延迟自4起依次增大1；S106若存在某次增大后DRAM颗粒访问成功，则判断为LPDDR3颗粒，否则判断为LPDDR2颗粒。