[发明专利]一种DRAM接口类型探测方法及存储介质有效
| 申请号： | 202010522066.2 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN111857570B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 汤云平 | 申请（专利权）人： | 瑞芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 350003 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 dram 接口类型 探测 方法 存储 介质 | ||
1.一种DRAM接口类型探测方法，其特征在于，包括如下步骤，调整DRAM接口读指令延迟自第8个接口时钟周期数起依次增大2个接口时钟周期数、DRAM接口写指令延迟自第4个接口时钟周期数起依次增大1个接口时钟周期数；若存在某次增大后DRAM颗粒访问成功，则判断为LPDDR3颗粒，否则判断为LPDDR2颗粒，所述接口读指令延迟上限为16，所述接口写指令延迟上限为8。
2.根据权利要求1所述的DRAM接口类型探测方法，其特征在于，还包括步骤，向DRAM发起MRR请求，针对收到的MRR请求的回复数据，判定DRAM是LPDDR2颗粒或LPDDR3颗粒；当MRR请求的回复数据无法识别时，才进行步骤：调整DRAM接口读指令延迟自第8个接口时钟周期数起依次增大2个接口时钟周期数、DRAM接口写指令延迟自第4个接口时钟周期数起依次增大1个接口时钟周期数。
3.一种DRAM接口类型探测存储介质，其特征在于，存储有计算机程序，所述计算机程序在被运行时执行包括如下步骤，调整DRAM接口读指令延迟自第8个接口时钟周期数起依次增大2个接口时钟周期数、DRAM接口写指令延迟自第4个接口时钟周期数起依次增大1个接口时钟周期数；若存在某次增大后DRAM颗粒访问成功，则判断为LPDDR3颗粒，否则判断为LPDDR2颗粒，所述接口读指令延迟上限为16，所述接口写指令延迟上限为8。
4.根据权利要求3所述的DRAM接口类型探测存储介质，其特征在于，所述计算机程序在被运行时还执行包括步骤，向DRAM发起MRR请求，针对收到的MRR请求的回复数据，判定DRAM是LPDDR2颗粒或LPDDR3颗粒；当MRR请求的回复数据无法识别时，才进行步骤：调整DRAM接口读指令延迟自第8个接口时钟周期数起依次增大2个接口时钟周期数、DRAM接口写指令延迟自第4个接口时钟周期数起依次增大1个接口时钟周期数。
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