[发明专利]显示装置及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202010517951.1 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN112670268A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 张永昌;刘铭棋 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L21/768;H01L27/32
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 及其 形成 方法
【说明书】:

在本发明一些实施例中,涉及一种显示装置,所述显示装置包括:隔离结构,设置在反射器电极之上;透明电极,设置在隔离结构之上;光学发射器结构,设置在透明电极之上;以及通孔结构。通孔结构在隔离结构的顶表面处从透明电极延伸到反射器电极的顶表面。通孔结构包括与反射器电极的顶表面接触的中心水平段、与隔离结构的内侧壁接触的侧壁垂直段及通过侧壁垂直段连接到中心水平段的上部水平段。上部水平段厚于中心水平段。

技术领域

本发明实施例是涉及显示装置及其形成方法。

背景技术

例如电视及蜂窝式装置等诸多现代电子装置皆使用图像显示装置来将数字数据转换成光学图像。为实现此目的,图像显示装置可包括像素区阵列。每一像素区可具有光学发射器结构且可耦合到半导体装置。所述半导体装置可对所述光学发射器结构选择性地施加电信号(例如,电压)。在施加所述电信号之后,光学发射器结构可发射光学信号(例如,光)。举例来说,光学发射器结构可以是有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)或一些其他适合的发光装置。

发明内容

在一些实施例中,本发明涉及显示装置,所述显示装置包括:隔离结构,设置在反射器电极之上;透明电极,设置在所述隔离结构之上;光学发射器结构,设置在所述透明电极之上;以及通孔结构,在所述隔离结构的顶表面处从所述透明电极延伸到所述反射器电极的顶表面,其中所述通孔结构包括与所述反射器电极的所述顶表面接触的中心水平段、与所述隔离结构的内侧壁接触的侧壁垂直段、及与所述隔离结构的所述顶表面接触的上部水平段,其中所述上部水平段通过所述侧壁垂直段连接到所述中心水平段,且其中所述上部水平段厚于所述中心水平段。

在其他实施例中,本发明涉及一种显示装置,所述显示装置包括:反射器电极,耦合到内连结构;隔离结构,设置在所述反射器电极之上;透明电极,设置在所述隔离结构之上;光学发射器结构,设置在所述透明电极之上;以及通孔结构,从所述隔离结构的顶表面延伸到所述反射器电极,其中所述通孔结构包括位于所述隔离结构的所述顶表面上的第一层且还包括第二层,其中所述第二层悬垂在所述隔离结构的所述顶表面上方且通过所述第一层而与隔离结构的所述顶表面间隔开,且其中所述第二层具有直接接触所述反射器电极且直接接触所述隔离结构的内侧壁的向下突出部。

在另外的实施例中,本发明涉及一种形成显示装置的方法,所述方法包括:在反射器电极之上形成隔离结构;在所述隔离结构之上沉积保护层;形成延伸穿过所述保护层及所述隔离结构的第一开口,以暴露出反射器电极的第一表面,其中保护层的内侧壁及所述隔离结构的内侧壁界定第一开口的侧壁;执行清洁工艺以对所述反射器电极的第一表面进行清洁;在所述保护层、所述第一开口的所述侧壁及所述反射器电极的所述第一表面之上沉积导电层;以及执行蚀刻工艺以移除保护层的周边部分及导电层的周边部分,从而形成包括所述保护层及所述导电层的通孔结构,其中所述通孔结构直接接触所述隔离结构的顶表面及所述反射器电极的所述第一表面且从所述隔离结构的所述顶表面延伸到所述反射器电极的所述第一表面。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明,能最好地理解本发明的各方面。注意,根据行业中的标准惯例,各种特征未按比例绘制。事实上,为论述的清晰起见,可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A及图1B说明显示装置的一些实施例的剖视图,所述显示装置具有延伸穿过隔离结构的通孔结构,所述通孔结构具有厚于中心水平段的上部水平段。

图2说明显示装置的一些额外实施例的剖视图,所述显示装置具有包括两层且延伸穿过隔离结构的通孔结构且具有穿过不同厚度的隔离结构的示例性光路径。

图3到图12说明形成具有延伸穿过隔离结构的通孔结构的显示装置的方法的一些实施例的剖视图,其中所述通孔结构包括保护层及导电层以防止损坏隔离结构。

图13说明与图3到图12对应的方法的一些实施例的流程图。

具体实施方式

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