[发明专利]显示装置及其形成方法在审
申请号: | 202010517951.1 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN112670268A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 张永昌;刘铭棋 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/32 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
隔离结构,设置在反射器电极之上;
透明电极,设置在所述隔离结构之上;
光学发射器结构,设置在所述透明电极之上;以及
通孔结构,在所述隔离结构的顶表面处从所述透明电极延伸到所述反射器电极的顶表面,其中所述通孔结构包括与所述反射器电极的所述顶表面接触的中心水平段、与所述隔离结构的内侧壁接触的侧壁垂直段、及与所述隔离结构的所述顶表面接触的上部水平段,其中所述上部水平段通过所述侧壁垂直段连接到所述中心水平段,且其中所述上部水平段厚于所述中心水平段。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述透明电极具有向所述通孔结构中突出到所述中心水平段的突出部,且其中所述通孔结构以杯状环绕所述突出部的下侧。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述通孔结构的所述上部水平段包括位于保护层之上的导电层。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述侧壁垂直段与所述中心水平段包含单种材料的连续层。
5.一种显示装置,包括:
反射器电极,耦合到内连结构;
隔离结构,设置在所述反射器电极之上;
透明电极,设置在所述隔离结构之上;
光学发射器结构,设置在所述透明电极之上;以及
通孔结构,从所述隔离结构的顶表面延伸到所述反射器电极,其中所述通孔结构包括位于所述隔离结构的所述顶表面上的第一层且还包括第二层,其中所述第二层悬垂在所述隔离结构的所述顶表面上方且通过所述第一层而与所述隔离结构的所述顶表面间隔开,且其中所述第二层具有直接接触所述反射器电极且直接接触所述隔离结构的内侧壁的向下突出部。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述隔离结构的所述顶表面具有直接接触所述通孔结构的第一部分及直接接触所述透明电极的第二部分,其中所述隔离结构的所述顶表面的所述第一部分具有第一平均表面粗糙度,其中所述隔离结构的所述顶表面的所述第二部分具有第二平均表面粗糙度,其中所述第一平均表面粗糙度约等于所述第二平均表面粗糙度。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述第一层包含与所述第二层不同的材料。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述通孔结构具有从所述隔离结构的所述顶表面到所述通孔结构的最顶表面测量的第一厚度,其中所述通孔结构具有从所述通孔结构的最底表面到所述透明电极的最底表面测量的第二厚度,且其中所述第一厚度大于所述第二厚度。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述通孔结构直接接触所述透明电极的内侧壁,其中所述通孔结构将所述隔离结构的所述内侧壁与所述透明电极的所述内侧壁直接隔开,其中所述通孔结构具有从所述透明电极的所述内侧壁到所述隔离结构的所述内侧壁测量的第三厚度,且其中所述第一厚度大于所述第三厚度,且其中所述第三厚度约等于所述第二厚度。
10.一种形成显示装置的方法,所述方法包括:
在反射器电极之上形成隔离结构;
在所述隔离结构之上沉积保护层;
形成延伸穿过所述保护层及所述隔离结构的第一开口,以暴露出所述反射器电极的第一表面,其中所述保护层的内侧壁及所述隔离结构的内侧壁界定所述第一开口的侧壁;
执行清洁工艺,以对所述反射器电极的所述第一表面进行清洁;
在所述保护层、所述第一开口的所述侧壁及所述反射器电极的所述第一表面之上沉积导电层;以及
执行蚀刻工艺,以移除所述保护层的周边部分及所述导电层的周边部分,从而形成包括所述保护层及所述导电层的通孔结构,其中所述通孔结构直接接触所述隔离结构的顶表面及所述反射器电极的所述第一表面且从所述隔离结构的所述顶表面延伸到所述反射器电极的所述第一表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010517951.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。