[发明专利]实现CSP芯片卷对卷生产的倒贴封装载带及其制造方法

权利要求书

1.实现CSP芯片卷对卷生产的倒贴封装载带制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤a，在一面附着有第一铜箔层（13）的基材（4）上进行冲孔，形成贯穿基材（4）以及第一铜箔层（13）的过孔（6）；

步骤b，在基材（4）的另一面上附着第二铜箔层（14）；

步骤c，在第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）上分别形成接触块（3）和焊盘（5），并通过丝印填锡工艺在过孔（6）内填充导电介质（1）并将其固化，在导电介质（1）的固化过程中对导电介质（1）施加压力使导电介质（1）充满过孔（6）并与第一铜箔层（13）的内壁完全贴合，导电介质（1）固化后将第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）导通。

2.根据权利要求1所述的实现CSP芯片卷对卷生产的倒贴封装载带制造方法，其特征在于：在所述的步骤c中，首先通过丝印填锡工艺在过孔（6）内填充导电介质（1）并将其固化，然后分别在第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）上形成接触块（3）和焊盘（5）。

3.根据权利要求1所述的实现CSP芯片卷对卷生产的倒贴封装载带制造方法，其特征在于：在所述的步骤c中，首先分别在第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）上形成接触块（3）和焊盘（5），然后通过丝印填锡工艺在过孔（6）内填充导电介质（1）并将其固化。

4.根据权利要求2或3所述的实现CSP芯片卷对卷生产的倒贴封装载带制造方法，其特征在于：在第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）上形成接触块（3）和焊盘（5）时，包括如下步骤：

步骤c-1，除去第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）表面的杂质，并对第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）表面进行粗化处理；

步骤c-2，通过热压的方式将干膜层（9）贴附在第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）的表面；

步骤c-3，利用紫外光照射的方式对干膜层（9）进行曝光，干膜层（9）被曝光的部位在第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）的表面分别形成曝光层（10）；

步骤c-4，将未曝光的干膜层（9）去除，露出第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）；

步骤c-5，对第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）表面未覆盖有曝光层（10）的位置进行刻蚀，刻蚀到基材（4）的表面；

步骤c-6，将第一铜箔层（13）和第二铜箔层（14）表面的曝光层（10）去除，分形成接触块（3）和焊盘（5）。

5.根据权利要求1~3任一项所述的实现CSP芯片卷对卷生产的倒贴封装载带制造方法，其特征在于：所述的丝印填锡工艺具体包括如下流程：通过预先准备设计方案图形的丝网印版，在丝网印版一端倒入充导电介质（1），使用刮板从丝网印版的一端匀速移动至另一端，刮板在匀速移动的过程中对充导电介质（1）施加压力，锡膏在移动中被刮板从图文部分的网孔中挤压到基材（4）上，最后对锡膏进行固化。

6.根据权利要求1所述的实现CSP芯片卷对卷生产的倒贴封装载带制造方法，其特征在于：设置有正对导电介质（1）的气嘴，在所述导电介质（1）的固化过程中气嘴向导电介质（1）喷出气体，导电介质（1）受到气压后充满过孔（6）并与过孔（6）的内壁贴合。

7.根据权利要求1或6所述的实现CSP芯片卷对卷生产的倒贴封装载带制造方法，其特征在于：所述的导电介质（1）为锡膏。

8.根据权利要求1所述的实现CSP芯片卷对卷生产的倒贴封装载带制造方法，其特征在于：在所述的步骤a中，所述的基材（4）采用环氧树脂纤维布。

9.利用权利要求1~8任一项的制造方法制成的载带，包括基材（4），在基材（4）的两面分别设置有接触块（3）和焊盘（5），接触块（3）和焊盘（5）在基材（4）的正反两面一一对应并导通，其特征在于：设置有贯穿所述基材（4）以及焊盘（5）的过孔（6），在过孔（6）内填充有导电介质（1），导电介质（1）充满过孔（6）并与焊盘（5）的内壁贴合。

10.根据权利要求9所述的载带，其特征在于：在所述的接触块（3）和焊盘（5）表面还设置有复合金属层（2）。