[发明专利]一种LAP激光镭雕工艺

说明书

本发明公开了一种LAP激光镭雕工艺，包括如下步骤，S1、获得塑胶基板；S2、在基板的表面镀氧化膜；S3、通过激光镭射在基板镀有氧化膜的表面上制作电路走线槽；S4、在基板上的电路走线槽内化镀金属层。在塑胶基板进行激光镭雕电路走线槽之前在基板上镀氧化膜以增强基板的抗氧化性和耐磨性，当激光在基板上镭雕电路走线槽时氧化膜可防止基板上的电路走线槽的边缘因激光的热量出现烧焦现象，使激光镭射形成的电路走线槽轮廓清晰，同时避免化镀前处理过程中各种因素的干扰，大大减少了产品产生溢镀、漏镀等不良现象的几率，提高产品质量，确保成品的品质，减少因不良品导致的资源浪费。

技术领域

本发明涉及天线技术领域，尤其涉及一种LAP激光镭雕工艺。

背景技术

随着移动通讯设备和智能穿戴设备向微型化、智能化的方向发展，使得应用在上述设备中的天线需要在极其有限的空间中集成WIFI、蓝牙等大量功能。

LAP(Laser Activating Plating)技术是一种以激光诱导普通塑胶基材后选择性金属镀的技术，能够在任意成型面上制作具有电气功能的电路及互联器件，因此在天线制造中具有显著优势。

常规LAP工艺中，由于普通塑胶基材材质柔软脆弱，激光镭雕过程中产品易被烧焦导致线路的轮廓粗糙从而使镭雕层线路不稳定，因此在化镀前处理过程中各种酸碱药水在线路的轮廓粗糙处残留量较大，导致产品的线路轮廓被腐蚀，产生斑点及微孔影响镀层在产品上附着，进而产品会出现溢镀、漏镀等不良现象。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种提高产品质量的LAP激光镭雕工艺。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种LAP激光镭雕工艺，包括如下步骤，

S1、获得塑胶基板；

S2、在基板的表面镀氧化膜；

S3、通过激光镭射在基板镀有氧化膜的表面上制作电路走线槽；

S4、在基板上的电路走线槽内化镀金属层。

本发明的有益效果在于：在塑胶基板进行激光镭雕电路走线槽之前在基板上镀氧化膜以增强基板的抗氧化性和耐磨性，当激光在基板上镭雕电路走线槽时氧化膜可防止基板上的电路走线槽的边缘因激光的热量出现烧焦现象，使激光镭射形成的电路走线槽轮廓清晰，同时避免化镀前处理过程中各种因素的干扰，大大减少了产品产生溢镀、漏镀等不良现象的几率，提高产品质量，确保成品的品质，减少因不良品导致的资源浪费。

附图说明

图1为本发明实施例一的LAP激光镭雕工艺中步骤S1的示意图；

图2为本发明实施例一的LAP激光镭雕工艺中步骤S2的示意图；

图3为本发明实施例一的LAP激光镭雕工艺中步骤S3的示意图；

图4为本发明实施例一的LAP激光镭雕工艺中步骤S4的示意图。

标号说明：

1、基板；2、氧化膜；3、电路走线槽；4、金属层。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本发明最关键的构思在于：在塑胶基板进行LAP激光镭雕电路走线槽之前在基板上镀氧化膜。

请参照图1至图4，一种LAP激光镭雕工艺，包括如下步骤，

S1、获得塑胶基板1；

S2、在基板1的表面镀氧化膜2；