[发明专利]一种LAP激光镭雕工艺在审
| 申请号： | 202010515686.3 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN111805091A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杨更欢 | 申请（专利权）人： | 深圳市信维通信股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/70 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 卜科武 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lap 激光 工艺 | ||
1.一种LAP激光镭雕工艺，其特征在于：包括如下步骤，
S1、获得塑胶基板；
S2、在基板的表面镀氧化膜；
S3、通过激光镭射在基板镀有氧化膜的表面上制作电路走线槽；
S4、在基板上的电路走线槽内化镀金属层。
2.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S2中，氧化膜通过PVD工艺形成。
3.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S2之前还包括步骤S11、将基板的表面清洁并进行去静电处理。
4.根据权利要求3所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S11之后还包括步骤S12、将基板表面进行打磨和喷砂处理。
5.根据权利要求4所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S12之后还包括步骤S13、在基板上喷涂底漆，烘烤底漆至底漆定型。
6.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S2中，氧化膜为二氧化硅层。
7.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S2之后还包括步骤S21、在基板上喷涂面漆，烘烤面漆至面漆定型。
8.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S3中，激光的能量为8W，激光的频率为40KHZ，激光的速度为2500mm/s，激光的填充间距为0.04mm。
9.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S3中，激光镭射对基板的镭雕次数为8次。
10.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕工艺，其特征在于：步骤S4之前还包括步骤S31、对基板进行化学除油，化学除油后通过水洗去除残留的化学药剂。
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