[发明专利]一种用于晶圆镀膜的固定装置及其使用方法在审
申请号: | 202010514871.0 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN111554608A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 王林;李菲 | 申请(专利权)人: | 华天慧创科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/673;H01L21/687;C23C14/50 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 姚咏华 |
地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 镀膜 固定 装置 及其 使用方法 | ||
1.一种用于晶圆镀膜的固定装置,其特征在于,包括卡台和竖直设置在卡台侧面的挡板,卡台或挡板上开设有与外部相通的真空孔(1),真空孔(1)外接于外部真空设备;
使用时,晶圆(2)吸附固定于真空孔(1)处。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆镀膜的固定装置,其特征在于,卡台两侧分别设置有一个挡板。
3.根据权利要求1所述的用于晶圆镀膜的固定装置,其特征在于,卡台顶面设为弧面,弧面的弧长不超过晶圆(2)周长的二分之一。
4.根据权利要求1所述的用于晶圆镀膜的固定装置,其特征在于,挡板顶面距离卡台顶面的垂直高度为晶圆(2)半径的二十分之一到五分之一。
5.根据权利要求1所述的用于晶圆镀膜的固定装置,其特征在于,挡板和卡台可拆卸连接或一体化连接。
6.根据权利要求1所述的用于晶圆镀膜的固定装置,其特征在于,真空孔(1)一端通过支管(4)与外部真空设备连接,另一端连接有真空槽(3)。
7.根据权利要求6所述的用于晶圆镀膜的固定装置,其特征在于,真空孔(1)和真空槽(3)至少设有一个。
8.如权利要求1~7任意一项所述的用于晶圆镀膜的固定装置的使用方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.真空控制中心(8)包括水平放置的总真空通道,总真空通道的一端与外部真空设备连接,其另一端向竖直面内引出若干个真空通道支路;真空控制中心(8)外设有转轴(9),转轴(9)上设有真空通道支路的接口;
S2.将若干个所述用于晶圆镀膜的固定装置通过接口与竖直面内的真空通道支路对接并固定;
S3.启动真空控制中心(8),外部真空设备工作,将晶圆(2)放入所述用于晶圆镀膜的固定装置中,晶圆(2)经真空吸附以竖直状态固定;转轴(9)转动,带动晶圆(2)在竖直面内转动;
S4.转速稳定后,使用气体沉积或者离子溅射对晶圆(2)实施镀膜作业,实现晶圆的立式转动镀膜操作。
9.根据权利要求8所述的使用方法,其特征在于,真空度为8.0×10-4Pa,转轴(9)转速为30~50r/min。
10.根据权利要求8所述的使用方法,其特征在于,所述用于晶圆镀膜的固定装置通过连接管道(5)与真空通道支路对接,并能够以连接管道(5)的轴心旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造