[发明专利]高功率半导体激光器

权利要求书

1.一种高功率半导体激光器，其特征在于，包括：

激光源，所述激光源包括在第一方向排布的多个激光线阵，其中，每一个所述激光线阵上设置有在第二方向排布的多个发光点，每一个所述发光点用于发出一激光束，所述第二方向垂直于所述第一方向，另外，每一个所述激光束的快轴方向与所述第一方向一致，每一个所述激光束的慢轴方向与所述第二方向一致；

第一光学装置，设置于所述激光源的出光侧，用于将所述激光源发出的每一个所述激光束在快轴方向准直，以使得每一个所述激光线阵发出的多个所述激光束组合形成一个片状的第一激光面；

合束装置，设置于所述第一光学装置的出光侧，用于将所述第一光学装置射出的多个所述第一激光面叠加形成一个片状的叠加激光面。

2.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器，其特征在于，

每一个所述激光线阵发出的多个所述激光束波长均相同，多个所述激光线阵发出的所述激光束的波长在所述第一方向递减或递增；

所述合束装置包括多个光学元件，多个所述光学元件设置于所述第一光学装置的出光侧，且与多个所述第一激光面一一对应；

每一个所述光学元件均用于反射其所对应的所述第一激光面，并且在存在具有更大波长的其它所述第一激光面时，透射其它所述第一激光面，或者，

每一个所述光学元件均用于反射其所对应的所述第一激光面，并且在存在具有更小波长的其它所述第一激光面时，透射其它所述第一激光面。

3.根据权利要求2所述的高功率半导体激光器，其特征在于，在所述合束装置出光的反方向，位于末端的所述光学元件为反射镜，其余所述光学元件为光栅，所述光栅具有在预定波段反射和透射的光谱特性。

4.根据权利要求3所述的高功率半导体激光器，其特征在于，所述光栅的光束透过率和反射率均大于等于90％。

5.根据权利要求2所述的高功率半导体激光器，其特征在于，还包括：

多个体布拉格光栅，设置于所述第一光学装置和所述合束装置之间，且多个所述体布拉格光栅与多个所述第一激光面一一对应，每一个所述体布拉格光栅均用于将其所对应的所述第一激光面的波长进行锁定，形成第二激光面；

所述合束装置用于将多个所述体布拉格光栅射出的多个所述第二激光面叠加，形成一个片状的所述叠加激光面。

6.根据权利要求2所述的高功率半导体激光器，其特征在于，每一个所述光学元件与其所对应的所述第一激光面的夹角均为45度±10度。

7.根据权利要求6所述的高功率半导体激光器，其特征在于，所述夹角均为45度。

8.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器，其特征在于，所述第一光学装置包括多个快轴准直透镜，多个所述快轴准直透镜设置于多个所述激光线阵的出光侧，且与多个所述激光线阵一一对应，每一个所述快轴准直透镜均用于将其所对应的所述激光线阵发出的多个所述激光束在快轴方向准直，以使得每一个所述激光线阵发出的多个所述激光束组合形成一个片状的第一激光面。

9.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器，其特征在于，还包括：

第二光学装置，设置于所述第一光学装置和所述合束装置之间，用于改变所述第一光学装置射出的每一个所述第一激光面中每一个所述激光束在慢轴方向的发散角。

10.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器，其特征在于，还包括：

第三光学装置，设置于所述合束装置的出光侧，用于将所述合束装置射出的所述叠加激光面在快轴方向汇聚。