[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法在审
| 申请号: | 202010511267.2 | 申请日: | 2020-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN112951866A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
| 发明(设计)人: | 崔濬熙;孔基毫;金洛铉;朴正勋;朴珍珠;韩周宪 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
提供了包括多个子像素并被配置为基于所述多个子像素中的每个发射光的显示装置以及制造该显示装置的方法。该显示装置包括:基板;驱动层,提供在基板上并包括配置为向显示装置施加电流的驱动元件;电连接到驱动层的第一电极;提供在第一电极上的第一半导体层;提供在第一半导体层上的有源层;提供在有源层上的第二半导体层;提供在第二半导体层上的第二电极;以及提供在第二半导体层上的反射层,其中从有源层发射的光在第一电极与反射层之间谐振。
技术领域
本公开的示例实施方式涉及配置为减小光束的发散角的高分辨率显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器被广泛用作显示装置。另外,近来,对于使用微型发光二极管(LED)制造高分辨率显示装置的技术的兴趣不断增长。发光二极管(LED)具有低功耗和环境友好的优点。归功于这些优点,对于LED的工业需求增加。因此,开发了使用微型LED的显示器。
但是,随着相邻像素之间的节距减小以提高微型LED显示器的分辨率,从像素发射的光可能扩展到相邻的像素,因此色纯度可能劣化。
此外,微型LED显示器可以通过与LED分开地制造诸如薄膜晶体管(TFT)或互补金属氧化物半导体(CMOS)元件的驱动元件以及将驱动元件和LED接合在一起来制造。然而,在这种情况下,在接合期间可能在电连接部分中形成缺陷,并且由于热失配可能形成不稳定的接合。
发明内容
一个或更多个示例实施方式提供了具有小的光束发散角的显示装置。
一个或更多个示例实施方式提供了更容易地制造显示装置的方法。
另外的方面将在下面的描述中被部分地阐述,并且将部分地自该描述明显,或者可以通过本公开的示例实施方式的实践而获知。
根据一示例实施方式的一方面,提供了一种显示装置,其包括多个子像素并被配置为基于所述多个子像素中的每个发射光,该显示装置包括:基板;驱动层,提供在基板上并包括配置为向显示装置施加电流的驱动元件;电连接到驱动层的第一电极;提供在第一电极上的第一半导体层;提供在第一半导体层上的有源层;提供在有源层上的第二半导体层;提供在第二半导体层上的第二电极;以及提供在第二半导体层上的反射层,其中从有源层发射的光在第一电极与反射层之间谐振。
反射层可以包括分布式布拉格反射器。
分布式布拉格反射器可以包括交替地提供的具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层,并且第一层和第二层被提供成两对至五对。
该显示装置还可以包括提供在基板与驱动层之间的联接层。
基板可以包括硅基板、玻璃基板、蓝宝石基板或涂覆有SiO2的硅基板。
驱动元件可以包括晶体管、薄膜晶体管或高电子迁移率晶体管(HEMT)。
该显示装置还可以包括基于所述多个子像素中的每个隔离有源层的隔离结构。
隔离结构可以包括离子注入区域。
该显示装置还可以包括提供在驱动层与隔离结构之间并与隔离结构对应的电流阻挡层。
该显示装置还可以包括在第二半导体层与反射层之间以及在反射层与第二电极之间的电流扩展层。
该显示装置还可以包括提供在第二半导体层与反射层之间以及在第二半导体层与第二电极之间的电流扩展层。
第二电极可以在面对有源层的区域中包括窗口区域,并且有源层的宽度小于窗口区域的宽度。
该显示装置还可以包括多个颜色转换层,所述多个颜色转换层被配置为将从有源层发射的光转换成具有不同颜色的光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010511267.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





