[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法在审

专利信息
申请号: 202010511267.2 申请日: 2020-06-08
公开(公告)号: CN112951866A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 崔濬熙;孔基毫;金洛铉;朴正勋;朴珍珠;韩周宪 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/46;H01L33/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括多个子像素并且被配置为基于所述多个子像素中的每个发射光,所述显示装置包括:

基板;

驱动层,提供在所述基板上并且包括配置为向所述显示装置施加电流的驱动元件;

电连接到所述驱动层的第一电极;

提供在所述第一电极上的第一半导体层;

提供在所述第一半导体层上的有源层;

提供在所述有源层上的第二半导体层;

提供在所述第二半导体层上的第二电极;以及

提供在所述第二半导体层上的反射层,

其中从所述有源层发射的光在所述第一电极与所述反射层之间谐振。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述反射层包括分布式布拉格反射器。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述分布式布拉格反射器包括交替地提供的具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层,并且所述第一层和所述第二层被提供成两对至五对。

4.根据权利要求1所述的显示装置,还包括提供在所述基板与所述驱动层之间的联接层。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述基板包括硅基板、玻璃基板、蓝宝石基板或涂覆有硅氧化物的硅基板。

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述驱动元件包括晶体管、薄膜晶体管或高电子迁移率晶体管。

7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括隔离结构,所述隔离结构基于所述多个子像素中的每个隔离所述有源层。

8.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述隔离结构包括离子注入区域。

9.根据权利要求7所述的显示装置,还包括电流阻挡层,所述电流阻挡层提供在所述驱动层与所述隔离结构之间并且对应于所述隔离结构。

10.根据权利要求1所述的显示装置,还包括电流扩展层,所述电流扩展层提供在所述第二半导体层与所述反射层之间以及在所述反射层与所述第二电极之间。

11.根据权利要求1所述的显示装置,还包括电流扩展层,所述电流扩展层提供在所述第二半导体层与所述反射层之间以及在所述第二半导体层与所述第二电极之间。

12.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二电极在面对所述有源层的区域中包括窗口区域,并且所述有源层的宽度小于所述窗口区域的宽度。

13.根据权利要求1所述的显示装置,还包括多个颜色转换层,所述多个颜色转换层被配置为将从所述有源层发射的光转换成具有不同颜色的光。

14.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二电极是透明的并且覆盖所述第二半导体层。

15.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二电极是不透明的并且包括被配置为透射从所述有源层发射的光的窗口区域。

16.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述基板和所述驱动层形成互补金属氧化物半导体底板。

17.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:

在外延基板上形成第一半导体层;

在所述第一半导体层上形成有源层;

在所述有源层上形成第二半导体层;

基于多个子像素中的每个隔离所述有源层;

基于所述多个子像素中的每个在所述第二半导体层上形成第一电极;

形成驱动层,所述驱动层包括电连接到所述第一电极的驱动元件;

去除所述外延基板;

在所述第一半导体层上形成第二电极;以及

在所述第二电极上形成反射层。

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