[发明专利]微型发光二极管显示装置及其制造方法

说明书

本揭示公开一种微型发光二极管显示装置的制造方法，其包含：提供驱动基板，其包含第一基板及设置在第一基板上的驱动电路层，其中驱动电路层具有第一电极及第二电极；提供转移基板，其包含第二基板及分别设置在第二基板的两相对表面的对位标记及微型发光二极管，其中微型发光二极管包含P电极及N电极；通过对位标记贴合驱动基板及转移基板，使第一电极及第二电极分别电连接P电极及N电极；去除对位标记；及薄化第二基板。本揭示还公开一种通过所述方法制成的显示装置。

技术领域

本揭示涉及显示技术领域，特别是涉及一种微型发光二极管显示装置及其制造方法。

背景技术

现有的微型发光二极管(micro light-emitting diode，micro LED)显示装置的制备方法，主要是将micro LED从生长基板直接转移到驱动基板(driving substrate)上，因此需等待驱动基板的驱动电路层形成后再转移微型发光二极管至驱动电路层上。随着科技的发展，micro LED的尺寸越来越小，使得microLED在驱动基板上的间距可越来越小且密度可越来越大。此使micro LED显示装置的像素密度(pixels per inch，PPI)可越来越大。就500PPI的5英寸手机屏幕而言，其包含约800万颗microLED。现有的巨量转移技术一般需要数次的转移，才能转移完一个手机屏幕所需的micro LED数量，因此转移微型发光二极管极为耗时。此外，现有的巨量转移技术在转移前需要先在驱动基板的显示区内设置数个对位标记，以确保转移的精确度。然而，在PPI日益增加的需求下，当对位标记的尺寸大于像素的尺寸时，将会影响显示装置的显示效果。

发明内容

为了解决现有显示装置中的驱动基板显示区因设有转移微型发光二极管用的对位标记而影响显示效果的技术问题，本揭示提供一种微型发光二极管显示装置的制造方法。所述方法包含：提供含第一显示区的一驱动基板，其中所述驱动基板在结构上包含第一基板及设置在第一基板上的一驱动电路层，且在所述第一显示区内的驱动电路层包含第一电极及第二电极；提供含第二显示区的一转移基板，其中所述转移基板在结构上包含第二基板及分别设置在所述第二显示区内第二基板的两相对表面的一对位标记及一微型发光二极管，其中所述微型发光二极管包含一P电极及一N电极；通过所述对位标记贴合所述驱动基板及所述转移基板，使所述驱动电路层的第一电极及第二电极分别电连接于所述微型发光二极管的P电极及N电极；以及去除所述对位标记。

在一实施例中，提供所述转移基板包含：提供第二基板；形成所述对位标记于所述第二显示区内第二基板的第一表面；形成所述微型发光二极管于一生长基板；以及将所述微型发光二极管从所述生长基板转移至所述第二显示区内第二基板的第二表面。第一表面与第二表面为第二基板的两相对面。

在一实施例中，提供所述转移基板还包含：在转移所述微型发光二极管至所述第二基板后，检测所述微型发光二极管的瑕疵；以及当所述微型发光二极管被检测为不良品时，转移另一微型发光二极管，以替换所述微型发光二极管。

在一实施例中，提供所述驱动基板包含：提供所述第一基板；及形成所述驱动电路层于所述第一基板上。再者，形成所述驱动电路层与转移所述微型发光二极管同步进行。

在一实施例中，所述方法还包含：在去除所述对位标记的同时，薄化所述第二基板。

在一实施例中，所述微型发光二极管为水平式(lateral)或垂直式(vertical)微型发光二极管。

在一实施例中，所述驱动基板的第一显示区未设有用于转移所述微型发光二极管至其上的一对位标记。