[发明专利]微型发光二极管显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 202010507355.5 | 申请日: | 2020-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN111584538A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
| 发明(设计)人: | 尹伟红 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微型 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种微型发光二极管显示装置的制造方法,其特征在于:其包含:
提供含有第一显示区的一驱动基板,其中所述驱动基板在结构上包含第一基板及设置在第一基板上的一驱动电路层,且在所述第一显示区内的驱动电路层包含第一电极及第二电极;
提供含有第二显示区的一转移基板,其中所述转移基板在结构上包含第二基板及分别设置在所述第二显示区内第二基板的两相对表面的一对位标记及一微型发光二极管,其中所述微型发光二极管包含一P电极及一N电极;
通过所述对位标记贴合所述驱动基板及所述转移基板,使所述驱动电路层的第一电极及第二电极分别电连接于所述微型发光二极管的P电极及N电极;以及
去除所述对位标记。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:提供所述转移基板包含:
提供第二基板;
形成所述对位标记于所述第二显示区内第二基板的第一表面;
形成所述微型发光二极管于一生长基板;以及
将所述微型发光二极管从所述生长基板转移至所述第二显示区内第二基板的第二表面,其中第一表面与第二表面为第二基板的两相对面。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:提供所述转移基板还包含:
在转移所述微型发光二极管至所述第二基板后,检测所述微型发光二极管的瑕疵;以及
当所述微型发光二极管被检测为不良品时,转移另一微型发光二极管,以替换所述微型发光二极管。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:提供所述驱动基板包含:
提供所述第一基板;及
形成所述驱动电路层于所述第一基板上;
其中,形成所述驱动电路层与转移所述微型发光二极管同步进行。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述方法还包含:在去除所述对位标记的同时,薄化所述第二基板。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述微型发光二极管为水平式(lateral)或垂直式(vertical)微型发光二极管。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述驱动基板的第一显示区未设有用于转移所述微型发光二极管至其上的一对位标记。
8.一种微型发光二极管显示装置,其特征在于:其包含:
一含有第一显示区的驱动基板,其结构包含第一基板及设置在第一基板上的一驱动电路层,其中所述第一显示区内的驱动电路层包含第一电极及第二电极;以及
一含有第二显示区的转移基板,其结构包含第二基板及设置在所述第二显示区内第二基板的一表面的一微型发光二极管,其中所述微型发光二极管包含一P电极及一N电极;
其中所述转移基板贴合于所述驱动基板,第二显示区对准第一显示区,且所述微型发光二极管的P电极及N电极分别电连接于所述驱动电路层的第一电极及第二电极。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于:所述微型发光二极管为水平式(lateral)或垂直式(vertical)微型发光二极管。
10.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于:所述驱动基板的第一显示区未设有用于转移所述微型发光二极管至其上的一对位标记。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





