[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010506661.7 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN111816561A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 安重镒;金成基;熊文娟;崔恒玮;蒋浩杰;李亭亭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括半导体衬底，
所述半导体衬底上沉积有多层物质，该多层物质形成有多重界面的表面，所述多重界面的表面上依次沉积有等离子氮化层和Si3N4层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为包含BL位线的结构。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为存储器结构或逻辑器件结构。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为DRAM，2D NAND，3D NAND或LCD。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多层物质包括以下中的至少两种：多晶硅、金属以及氮化物。
6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：
在具有多重界面的半导体载体上进行等离子体氮化处理，然后沉积Si3N4。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述具有多重界面的半导体载体为存储器结构或逻辑器件结构。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体氮化处理的方法为偏压法或非偏压法。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体氮化处理时所用的工艺气体为以下中的至少一种：NH3、N2以及Ar。
10.根据权利要求6-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体氮化处理采用集群式设备、炉管式设备或旋转式设备(Merry-go-round)。
11.根据权利要求6-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述半导体结构为DRAM，2DNAND，3D NAND或LCD。
12.根据权利要求6-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述多重界面为以下中的至少两种物质形成的界面：多晶硅、金属以及氮化物。
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